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本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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