一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺制造技术

一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，其特征在于：所述进舟步骤、沉积步骤反应温度均低于800摄氏度。优选的，所述沉积步骤与推进步骤二者至少之一是按温度不同分步进行的。进一步的，所述沉积步骤分为第一步沉积和第二步沉积；所述推进步骤包括第一步推进和第二步推进。优选的，所述进舟步骤和沉积步骤之间还有氧化步骤，所述氧化步骤包括向反应容器内通入氧气。采用本发明专利技术所述的低温低表面浓度高方阻扩散工艺，在沉积和扩散步骤相对传统工艺降低了反应温度，从而降低了表面复合速率，同时在多晶硅扩散过程中较低的扩散温度使得杂质更有利于朝吸杂点迁移，进而提高了电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池制造领域，涉及一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺。
技术介绍
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，太阳光照在半导体p-n结上，能量大于硅禁带宽度的光子形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，光生空穴由η区流向P区，光生电子由P区流向η区，接通电路后就形成电流。目前典型商业型太阳能电池的方阻为55飞5 Ω/sq (单位为欧姆每方)，而在良好欧姆接触的前提下，更高的方阻意味着更好的蓝紫光响应，更低的表面复合速率(SRV)，更低的反向饱和电流(J。)和更高的短路电流(Isc)。·现有的常规扩散工艺以磷源扩散为例，将硅片放入扩散炉后，向扩散炉内通入磷源进行硅片表面沉积扩散，在沉积完成后，停止通入磷源，向扩散炉内通入氧气，氧气与磷源高温下氧化成五氧化二磷(P2O5),沉积在硅片表面的五氧化二磷与硅片反应生成游离态的磷原子和二氧化硅，随后磷原子向硅片内部进行扩散。常规高阻扩散工艺沉积温度通常在800摄氏度以上，扩散温度通常在840摄氏度以上，高表面浓度的磷源扩散会在其过饱和的表面不可避免的沉淀出大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，其特征在于：所述沉积步骤反应温度低于800摄氏度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗柯，姜丽丽，王岩，李丽，林洪峰，路忠林，张凤鸣，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，
类型：发明
国别省市：