一种尺寸偏小硅块的斜切方式制造技术

本发明专利技术记载了一种尺寸偏小硅块的斜切方式，包括以下步骤：步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长；步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托与玻璃板粘接的相对位置；步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托粘接在玻璃板上；步骤四：将硅块粘接在玻璃板上；步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托的短边平行。在本发明专利技术中，通过斜切，有效地解决了偏小硅块的尺寸问题，最大程度地减小了尺寸偏小硅块的报废率，提高了硅块的循环利用率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅块的切割方式，尤其涉及一种尺寸偏小硅块的斜切方式。 
技术介绍
当前，铸锭多晶硅太阳能电池的硅片生产过程一般为：喷涂装料→铸锭→破锭→检测加工→切片→清洗→分选。 在加工硅块的过程中经常出现因操作不当而导致硅块尺寸偏小的现象。一般，尺寸偏大的硅块可以通过后期的磨面处理使得硅块达到正常尺寸，但对于尺寸较小的硅块却只能报废，报废将导致硅料的成本增加。且根据实验表明，尺寸较小的硅块除了尺寸不符合要求外，其它电学性能均符合产品要求，直接报废将导致硅料成本增加，且硅料利用率的降低也会干扰正常的生产节拍。 
技术实现思路
为解决因硅块尺寸偏小而导致硅料成本增加的缺陷，本专利技术特提供一种尺寸偏小硅块的切割方式。 本专利技术的技术方案如下： 一种尺寸偏小硅块的斜切方式，包括以下步骤： 步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长； 步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托与玻璃板粘接的相对位置； 步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托粘接在玻璃板上； 步骤四：将硅块粘接在玻璃板上； 步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托的短边平行。 进一步，步骤二中晶托与玻璃板粘接的相对位置的计算过程如下： 玻璃板的四个顶点依次表示为E、F、G、H；晶托与玻璃板一边的交点分别为C、D。 按照公式计算硅块的偏移长度X；其中Y表示硅块偏小边的边长，B表示欲使硅块达到的实际边长； r>按照公式X3X4-X2X4=XY;]]>X3+X1＝A-X2； X5X2=YB;]]>，计算出X1、X2、X3的值。 其中X1为C到E的距离，X2为C到D的距离，X3为D到F的距离，X4为玻璃板长度，A为玻璃板宽度，X5为晶托宽度；所述Y、B、A、X4、X5为已知；所述X1、X3的值共同决定晶托边界线的位置。 进一步，偏小硅块边长Y＞(2X5.B+X.X4)/A。 在本专利技术中，通过斜切，有效地解决了偏小硅块的尺寸问题，最大程度地减小了偏小硅块的报废率，提高了硅块的循环利用率，降低了生产成本。并且通过对偏小硅块边长与(2X5.B+X.X4)/A的大小进行比较，可快速筛选出可回收利用的偏小硅块，提高了工作效率。 附图说明图1为晶托斜粘在玻璃板上的结构示意图； 图2为晶托边界线的模拟示意图； 图3为硅块电池片转换效率的示意图； 图4为实验硅片成品外观分布图； 其中附图标记所对应的零部件名称如下： 1-玻璃板，2-晶托。 具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。 实施例1 一种尺寸偏小硅块的斜切方式， 如图1、图2所示，包括以下步骤： 步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长； 步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托2与玻璃板1粘接的相对位置； 步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板1上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托2粘接在玻璃板1上； 步骤四：将硅块粘接在玻璃板1上； 步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托2的短边平行。 在本实施例中，由于斜边长度大于直角边，当硅块尺寸偏小时，通过斜切得到的斜边可以满足对硅块尺寸的要求。因此，通过斜切能够有效地解决偏小硅块的尺寸问题，提高了硅料的循环利用率，降低了生产成本。 实施例2 本实施例在实施例1的基础上，步骤二中晶托2与玻璃板1粘接的相对位置的计算过程如下： 玻璃板1四个顶点依次表示为E、F、G、H；晶托2与玻璃板1一边的交点分别为C、D。 按照公式计算硅块的偏移长度X；其中Y表示硅块偏小边的边长，B表示欲使硅块达到的实际边长； 按照公式X3X4-X2X4=XY;]]>X3+X1＝A-X2； 计算出X1、X2、X3的值。 其中X1为C到E的距离，X2为C到D的距离，X3为D到F的距离，X4为玻璃板1长度，A为玻璃板1宽度，X5为晶托2宽度；其中Y、B、A、X4、X5为已知； 所述X1、X3的值共同决定晶托边界线的位置。 专利技术人通过所述计算方式对偏小尺寸的硅片进行了斜切，并对斜切后的硅片尺寸信息、硅片电性能参数、硅块电池片转换效率、硅片成品的外观、硅片的不合格率和成品率进行了实验，旨在证明斜切后硅片的各种参数正常，满足工业要求。以下数据都是在玻璃板宽度为156mm，玻璃板长度为430mm，晶托宽度为100mm的基础上计算出来的： 1、斜切后的硅片尺寸信息 本次实验分别对两个硅块进行了斜切，并对切前的硅块尺寸和切后的硅块尺寸进行了统计，统计结果如表一所示。在玻璃板宽度为156mm，玻璃板长度为430mm，晶托宽度为100mm的基础上，只要硅块宽度在155.5mm以上即认为斜切后的硅片尺寸满足要求。根据表一的实验数据可知，切后的硅片斜边长平均都在155.5mm以上，达到了工业生产的要求。 表一 硅块尺寸信息 2、斜切硅片电池平均电性能参数试制结果 本次实验共对斜切后的800片硅片进行电池试制，并对试制硅片的各项平均电性能参数值进行了统计。根据表二的实验数据可知，实验硅片的平均电性能参数值与生产线要求的电性能参数值大致相同，并无太大差异。 表二 硅片电性能参数 3、斜切硅块电池片转换效率实验结果 如图3所示，横坐标代表电池片转换效率分档、纵坐标代表电池片转换效率相等的电池片数量占总实验电池片数量的比，从实验数据可知，斜切后硅片电池转换效率主要集中在16.25％～17％，属正常范围。 4、斜切硅片成品外观实验结果 如图4所示，横坐标代表成品电池片外观等级，纵坐标代表电池片外观等级相等的电池片数量占总实验电池片数量的比。 目前，太阳能电池片根据对外观和电性能的要求分为以下几种类别标识： A类：指完全符合正常成品电池片标准，不含任何电性能超标或外观不良现象的成品太阳能电池片。 B类：指外观不良现象的成品太阳能电池片，包括：色差、色斑、水痕、指印、弓片、鼓包、正电极缺损、银电铝缺损、结点、漏浆、印刷图形偏移、划伤、崩边等因素。 C类：指带V形缺口(缺口面积小于总面积的一定比例)、缺角(缺角面积小于电池总面积的一定比例)、超过一定程度的崩边、圆弧型缺口、裂纹、铝珠片、穿孔片等电池片。 D类：指发霉片、经二次重烧仍泛黄的硫化片、焊接片、胶带片、碎片等。 根据图4可知，经本专利技术斜切后的硅片制成的电池片外观97.22％达到A类，大部分完全符合对正常成品电池片的标准。 5、硅片的不合格率和成品率实验结果 表三为实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种尺寸偏小硅块的斜切方式，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长；步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托（2）与玻璃板（1）粘接的相对位置；步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板（1）上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托（2）粘接在玻璃板（1）上；步骤四：将硅块粘接在玻璃板（1）上；步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托（2）的短边平行。

【技术特征摘要】
1.一种尺寸偏小硅块的斜切方式，其特征在于：
包括以下步骤：
步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长；
步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托（2）与玻璃板（1）粘接的相对位置；
步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板（1）上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托（2）粘接在玻璃板（1）上；
步骤四：将硅块粘接在玻璃板（1）上；
步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托（2）的短边平行。
2.根据权利要求1所述的一种尺寸偏小硅块的斜切方式，其特征在于：
步骤二中晶托（2）与玻璃板（1）粘接的相对位置的计算过程如下：
玻璃板（1）四个顶点依次表示为E、F、G、H；晶托（2）与玻璃板（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟树敏，鲜杰，刘兴翀，林洪峰，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51