一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)清洗去除上述阻挡层；(4)制备背极背场、印刷正电极、烧结；即可得到低表面浓度浅扩散结太阳电池。本发明专利技术利用现有设备和条件实现了低表面浓度浅扩散结的制备，提高少子扩散长度，改善了少子寿命，最终提高了电池片的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于太阳能

技术介绍
太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前，由于受到现有的条件和成本的影响，常规的太阳能电池的转化效率很难突破18.8%的稳定效率。伴随着技术的不断进步，但相应的投入成本也是水涨船高。因此，在不增加成本的基础上以现有的设备条件下进行光电转化效率上的改善至关重要。对此，国内外广开展了与之相关的工作，其中低表面浓度浅扩散结技术是一种行之有效的方式。目前，低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法主要包括如下步骤:(I)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)去除上述阻挡层。而常用的阻挡层一般是氧化硅层或氮化硅层。对于氧化硅层而言，其在制备过程中需要使用高温，且制备时间较长，因此成本较高，且对设备及硅片片源的要求也比较高。对于氮化硅层而言，其最终制得的电池片具有微小的开裂情况，均匀性较差，方阻不均匀，无法实现工业化。因此，开发一种低成本的低表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)?将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)?清洗去除上述阻挡层；(4)?制备背极背场、印刷正电极、烧结；即可得到低表面浓度浅扩散结太阳电池。

【技术特征摘要】
1.一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层； (2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散； (3)清洗去除上述阻挡层； (4)制备背极背场、印刷正电极、烧结；即可得到低表面浓度浅扩散结太阳电池。2.根据权利要求1所述的低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，其特征在于:所述微晶娃层的厚度为1(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张为国，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：