硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法技术

技术编号:8656773 阅读:158 留言:0更新日期:2013-05-02 00:33
本发明专利技术公开了一种硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法,在单结或多结的p/i/n型硅基薄膜太阳电池的底电池的n层中引入导电的纳米硅氧或硅碳薄膜,形成多层复合薄膜的n型掺杂层,同时对新型n层中Si及SiOx或SiCx掺杂、晶化率、厚度、折射率、电导率等进行调整和优化。本发明专利技术公开的新型n层复合结构通过增加背反射并减少掺杂层n层光吸收,能有效提高硅薄膜叠层太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏太阳能电池
,特别涉及一种。
技术介绍
随着能源的日益短缺,人们对太阳能的开发和利用日趋重视。市场对更大面积、更轻更薄且生产成本更低的新型太阳能电池的需求日益增加。在光伏电池领域,硅基薄膜太阳电池因其原材料储量丰富、无污染、制备工艺简单、便于大面积连续化生产等优点,受到广泛关注。硅基薄膜电池中,非晶硅薄膜电池具有光致衰减的效应,工艺上需要通过减薄电池的厚度实现抑制非晶硅薄膜电池的光致衰减;微晶硅薄膜电池,通常电池所需的厚度在1-2微米,需要较长的制备时间和材料消耗,为减小原料成本和提高产能,也急需减薄微晶硅薄膜的厚度。但是,薄膜电池厚度的减薄,会降低电池对太阳光的吸收,从而降低薄膜电池的效率。为了增加光在太阳电池中的光程,使光吸收增加,需要外加的陷光结构。陷光结构是利用绒面前电极和高反射的绒面复合背电极,通过光的反射、折射和散射等过程,将入射光分散且限制在电池中,使其多次往返吸收,增加光在太阳电池中的光程,使光吸收增加,电池转换效率提高。然而,由于具有绒面的前电极、氧化锌和金属背电极本身都对太阳光有一定的吸收,绒面结构同时也增强了前电极、氧化锌和金属背电极对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法,包括:在透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜;在所述透明导电氧化物薄膜表面依次沉积第一电池的正极p1层、发电层i1和负极n1层;和/或在所述第一电池的表面沉积第二电池的正极p2层、发电层i2和负极n2层,形成双叠层电池;和/或在所述第二电池表面进一步沉积第三电池的正极p3层、发电层i3和负极n3层,形成三叠层电池;其中,在结晶化的纳米硅n层中引入导电的纳米硅氧SiOx或硅碳SiCx薄膜,形成多层复合薄膜的n型掺杂层;在电池表面沉积导电薄膜背电极;进行层压封装和后续处理。

【技术特征摘要】
1.一种硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法,包括: 在透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜; 在所述透明导电氧化物薄膜表面依次沉积第一电池的正极Pl层、发电层il和负极nl层;和/或 在所述第一电池的表面沉积第二电池的正极P2层、发电层i2和负极n2层,形成双叠层电池;和/或 在所述第二电池表面进一步沉积第三电池的正极P3层、发电层i3和负极n3层,形成三叠层电池; 其中, 在结晶化的纳米硅η层中引入导电的纳米硅氧SiOx或硅碳SiCx薄膜,形成多层复合薄膜的η型掺杂层; 在电池表面沉积导电薄膜背电极; 进行层压封装和后续处理。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述纳米硅η层包括nl层或n2层或n3层。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述纳米硅η层为晶化微晶硅和微晶硅氧的多层复合结构。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:多层复合结构为SiOx/Si,或SiOx/Si/SiO...

【专利技术属性】
技术研发人员:曲铭浩胡安红汝小宁张津燕徐希翔
申请(专利权)人:福建铂阳精工设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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