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本发明公开了一种硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法，在单结或多结的p/i/n型硅基薄膜太阳电池的底电池的n层中引入导电的纳米硅氧或硅碳薄膜，形成多层复合薄膜的n型掺杂层，同时对新型n层中Si及SiOx或SiCx掺杂、晶化率、厚度、折射率、电导...
该专利属于福建铂阳精工设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建铂阳精工设备有限公司授权不得商用。

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