BiTe基柔性薄膜温差电池制造技术

本发明专利技术涉及一种BiTe基柔性薄膜温差电池，自下至上包括冷端绝缘基体，复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口；每一冷端导电层上的一个N型温差电单体和一个P型温差电单体，热端导电层和热面绝缘层，N型温差电单体和相邻P型温差电单体之间均有冷热端导电层间绝缘层，其特点是；冷端绝缘基体和热面绝缘层均为聚酰亚胺薄膜；各层厚度均为微米级薄膜。本发明专利技术选用微米级厚的聚酰亚胺薄膜作为冷端绝缘基体和热面绝缘层，在冷端绝缘基体和热面绝缘层之间制出各层均为微米级厚度，N型温差电单体和相邻P型温差电单体之间有冷热端导电层间绝缘层，有效提高了电池的柔性和集成度，大幅提高了电池电输出性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于温差电
，特别是涉及一种BiTe基柔性薄膜温差电池。
技术介绍
温差电池是一种利用温差电材料的塞贝克效应将热能直接转换为电能的固态能量转换装置，由P-N温差电元件组成，具有结构紧凑、没有运动部件、绿色环保，工作寿命长，可以耐受恶劣环境等优点，在空间探测、深海探测、医学、极地安全防护等领域具有广泛的应用前景。为了进一步突出温差电池的优点，并使电池具有良好的柔性，本领域技术人员进行了大量研发，将过去三维结构方形块状的温差电池研制成为准二维薄膜结构，可显著增强电池应用的灵活性、隐蔽性，有利于扩大温差电池的进一步使用范围。目前，制作薄膜温差电池大多采用电镀和物理沉积方法，很难精准控制薄膜温差电材料的掺杂成分，不仅电池的电性能偏低(温差电单体电导率仅为常规块体材料的二分之一甚至更低)，也有部分电池采用环氧树脂进行封装，失去了电池的柔韧性。经检索发现，申请号为20131019729L 3、公开号为CN 103325935A、名称为:一种柔性薄膜温差电池及其制作方法的专利技术专利。该专利技术专利的制作方法首先是将第一、第二柔性绝缘基片进行清洗，再在第一、第二柔性绝缘基片上分别镀制上P型热电薄膜和N型热电薄膜，并在所述的P型和N型热电薄膜上的一端镀制有用于引出电极的金属导电薄膜层，在第一、第二柔性绝缘基片另一端侧面镀制有用于实现相互连接的PN结薄膜层。该专利技术专利的实现了电池自身可弯曲。但是其不足之处在于:该专利技术专利制成的电池只有一个P-N结，不仅电池的集成度低，而且由于薄膜电池的电阻本身很大，该方法制成的柔性薄膜温差电池电功率仅能达到纳瓦级。
技术实现思路
本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种能够在较小面积内集成较多的对数单体，有效提高电池的集成度，具有电池电输出性能高的BiTe基柔性薄膜温差电池。本专利技术包括如下技术方案:BiTe基柔性薄膜温差电池，自下至上依次包括柔性冷端绝缘基体，固装于柔性冷端绝缘基体上的复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口，每一个冷端导电层面上固装一个N型温差电单体和一个P型温差电单体，构成冷端P-N对,一个冷端导电层输出端口上面固装一个N型温差电单体，另一个冷端导电层输出端口上面固装一个P型温差电单体；一个冷端P-N对上的N型温差电单体和相邻一个冷端P-N对上的P型温差电单体上面固装一个热端导电层，构成热端P-N对；全部热端导电层上面固装一个柔性热面绝缘层，其特点是:所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层的厚度均为微米级；所述复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口的厚度均为0.1-1 μ m;所述复数个N型温差电单体和复数个P型温差电单体的厚度均为2-3 μ m ;所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层之间的所有N型温差电单体和相邻P型温差电单体之间均制有2-5 μ m厚的冷热端导电层间绝缘层。本专利技术还可以采用如下技术措施:所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层均为聚酰亚胺薄膜。 所述冷端导电层、冷端导电层输出端口和热端导电层均为Mo薄膜。所述N型温差电单体为N型Bi2 xSexTe3薄膜，其中χ为0.1-1.9 ;所述Ρ型温差电单体为Ρ型Bi3SbxTe3 x薄膜，其中χ为0.1-2.9所述冷热端导电层间绝缘层为ZnO材料。本专利技术具有的优点和积极效果:本专利技术选用微米级聚酰亚胺薄膜作为电池的柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层，在柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层之间制出微米级的冷端导电层和冷端导电层输出端口、微米级的N型温差电单体和P型温差电单体，在相邻N型温差电单体和P型温差电单体之间冷热端导电层间绝缘层，有效提高了电池的集成度，大幅提高了电池电输出性能。【附图说明】图1是本专利技术BiTe基柔性薄膜温差电池局部剖视结构示意图；图2是图1电池实物的局部显微照片；图3是制作图1电池用冷端导电层微区光刻掩模板意图；图4是制作图1电池用N/Ρ型温差电单体微区光刻掩模板示意图；图5是制作图1电池用冷热端导电层间绝缘层微区光刻掩模板示意图；图6是制作图1电池用热端导电层微区光刻掩模板意图。图中:1-柔性冷端绝缘基体1，2-N型温差电单体，3-P型温差电单体，4_热端导电层，5-冷热端导电层间绝缘层，6-柔性热面绝缘层，7-冷端导电层，8-冷端导电层输出端口，9-冷端导电层微区光刻掩模板,10-N/P型温差电单体微区光刻掩模板,11-冷热端导电层间绝缘层微区光刻掩模板，12-热端导电层微区光刻掩模板。【具体实施方式】为能进一步公开本专利技术的
技术实现思路
、特点及功效，特例举以下实例详细说明如下。BiTe基柔性薄膜温差电池，自下至上依次包括柔性冷端绝缘基体，固装于柔性冷端绝缘基体上的复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口，每一个冷端导电层面上固装一个N型温差电单体和一个P型温差电单体，构成冷端Ρ-N对,一个冷端导电层输出端口上面固装一个N型温差电单体，另一个冷端导电层输出端口上面固装一个P型温差电单体；一个冷端Ρ-N对上的N型温差电单体和相邻一个冷端Ρ-N对上的P型温差电单体上面固装一个热端导电层，构成热端Ρ-N对；全部热端导电层上面固装一个柔性热面绝缘层。本专利技术的创新点是:所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层的厚度均为微米级；所述复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口的厚度均为0.1-1 μ m ;所述复数个N型温差电单体和复数个P型温差电单体的厚度均为2-3 μ m ;所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层之间的所有N型温差电单体和相邻P型温差电单体之间均制有2-5 μ m厚的冷热端导电层间绝缘层。所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层均为聚酰亚胺薄膜。所述冷端导电层、冷端导电层输出端口和热端导电层均为Mo薄膜。所述N型温差电单体为N型Bi2 xSexTe3薄膜，其中χ为0.1-1.9 ;所述Ρ型温差电单体为Ρ型Bi3SbxTe3 x薄膜，其中χ为0.1-2.9所述冷热端导电层间绝缘层为ZnO材料。本专利技术BiTe基柔性薄膜温差电池的制作过程:步骤1:制作光刻掩模板:按照制作200个热端导电层微区、200个N型温差电单体微区、200个P型单体微区、30个冷热端导电层间绝缘层微区、199个冷端导电层微区和2个冷端导电层输出端口微区的BiTe基柔性薄膜温差电池为例；选用厚度为2.5_、面积为4寸的石英玻璃分别制作图3所示中有199个长方形图作为冷端导电层微区和2个对称的L形图作为冷端导电层输出端口微区的冷端导电层微区光刻掩模板9、图4所示有200个正方形图作为N/Ρ型温差电单体微区光刻掩模板10、图5所示有30个长方形图作为冷热端导电层间绝缘层微区光刻掩模板11和图6所示有200个长方形图作为热端导电层微区光刻掩模板12。图3-图6中的图形相互对应。步骤2:光刻冷端导电层和冷端导电层输出端口的微区图形选用Φ 75mmX 8 μ m的聚酰亚胺薄膜作为柔性冷端绝缘基体1，柔性冷端绝缘基体1 一面作为非加工面放置在KW-4A台式匀胶-甩胶机的置物吸盘上，通过抽真空的方式使柔性冷端绝缘基体1与吸盘紧密贴合；柔性冷端绝缘基体1另一面作为加工面，涂甩厚度为5 μ m?10 μ m的BT218光刻胶；将图3所示冷端导电层微区光刻掩模板9置于MA6/BA6光刻机中，对准柔性冷端绝缘基体1加工面本文档来自技高网...

【技术保护点】
BiTe基柔性薄膜温差电池，自下至上依次包括柔性冷端绝缘基体，固装于柔性冷端绝缘基体上的复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口，每一个冷端导电层面上固装一个N型温差电单体和一个P型温差电单体，构成冷端P‑N对，一个冷端导电层输出端口上面固装一个N型温差电单体，另一个冷端导电层输出端口上面固装一个P型温差电单体；一个冷端P‑N对上的N型温差电单体和相邻一个冷端P‑N对上的P型温差电单体上面固装一个热端导电层，构成热端P‑N对；全部热端导电层上面固装一个柔性热面绝缘层，其特征在于；所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层的厚度均为微米级；所述复数个冷端导电层和两个冷端导电层输出端口的厚度均为0.1‑1μm；所述复数个N型温差电单体和复数个P型温差电单体的厚度均为2‑3μm；所述柔性冷端绝缘基体和柔性热面绝缘层之间的所有N型温差电单体和相邻P型温差电单体之间均制有2‑5μm厚的冷热端导电层间绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，阎勇，刘静榕，郭金娟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12