本发明专利技术公开了一种焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置，该方法包括：在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤；将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形；将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。该装置包括：涂胶机、烘烤箱和光刻机。本发明专利技术通过对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后，再对探测器芯片进行表面烘烤，使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差，然后结合非接触光刻方式的离焦光刻，产生显影后呈倒梯形的厚胶图形，该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小，后续用丙酮溶解光刻胶时，光刻胶表面上的铟更容易脱落，从而得到均匀的铟柱形貌。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置。
技术介绍
红外焦平面探测技术的光谱响应波段宽，可获得更多的地面目标信息，而且能够昼夜工作，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果估计以及农牧业、森林资源的调查、气象预报、地热分布、地震、火山活动得等领域。随着探测器的逐步发展，需制备出阵列规模更大、成像效果更好的探测器芯片，而光刻工艺是制备探测器芯片的关键技术之一，但是现有的光刻方法都只是采用接触式光刻方法，而接触式光刻工艺在将光刻胶进行剥离时，会破坏探测器铟柱的均匀性，随着探测器芯片的不断发展接触式光刻工艺已不能满足人们对探测器芯片的发展需求，所以如何提高探测器铟柱的光刻后的均匀性成为现在亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置，用以进一步提闻现有技术中探测器钢柱的均勻性。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的:一种焦平面探测器铟柱的光刻方法，该方法包括:在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤；将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形；将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。优选地，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12 18微米。优选地，将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤的步骤具体包括:涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为5(T70度，整体烘烤时间为0.5 1小时；然后再进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为9(T110度，表面烘烤时间为f 3分钟。优选地，所述离焦光刻具体包括:将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻的离焦量为-0.0lf0.015毫米。优选地，所述低温烘烤的温度为5(T80度，时间为f 3小时。本专利技术实施例还提供了 一种焦平面探测器铟柱的光刻装置，该装置包括:涂胶机，用于在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；烘烤箱，用于将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤，并将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤；光刻机，用于将所述烘烤箱烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形。优选地，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12 18微米。优选地，所述烘烤箱具体用于，将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为50~70度，整体烘烤时间为0.5^1小时；还包括热板，所述热板，用于将整体烘烤后的探测器芯片进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为90~110度，表面烘烤时间为1~3分钟。优选地，所述光刻机具体用于，将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻离焦量为-0.011~.015毫米，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形。优选地，所述烘烤箱还用于，对所述光刻机离焦光刻后的所述探测器芯片进行低温烘烤，所述低温烘烤的温度为50~80度，时间为1~3小时。本专利技术有益效果如下:本专利技术提供的焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置，对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后，再对探测器芯片进行表面烘烤，使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差，然后结合非接触光刻方式的离焦光刻，产生显影后呈倒梯形的厚胶图形，该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小，后续用丙酮溶解光刻胶时，光刻胶表面上的铟更容易脱落，从而得到均匀的铟柱形貌。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明图1为本专利技术实施例的焦平面探测器铟柱的光刻方法的流程图；图2为本专利技术实施例的焦平面探测器铟柱的光刻装置示意图。具体实施例方式下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理。实施例1本专利技术实施例提供了一种焦平面探测器铟柱的光刻方法，参见图1，该方法包括:S101、在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；其中，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12 18微米。S102、将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤；烘烤的步骤具体包括:涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为50~70度，整体烘烤时间为0.5~1小时；通过整体烘烤使光刻胶进行定型。再进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为90~110度，表面烘烤时间为1~ 3分钟。通过表面烘烤使光刻胶进行表面固化。因为光刻胶的特性，温度高时不容易显影，温度低时容易显影，通过表面烘烤提高了光刻胶表面的温度，即光刻胶的内部温度低，而表面温度高，使靠近探测器芯片的光刻胶更容易显影，最终在进行离焦光刻时，得到显影后的倒梯形厚胶图形。S103、将烘烤完光刻胶的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后的倒梯形厚胶图形；现有技术得到的是正梯形厚胶图形，而本专利技术得到的是倒梯形的厚胶图形，即本专利技术的梯形的窄边与所述探测器芯片连接，这样使铟与光刻胶侧壁的接触的面积小，使后续用丙酮溶解光刻胶时，光刻胶表面上的铟更容易脱落，所述离焦光刻具体包括:将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦量为-0.011 0.015毫米。S104、将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤；所述低温烘烤的温度为5(T80度，时间为f 3小时。在离焦光刻完后再进行低温烘烤，通过低温烘烤使离焦光刻得到的倒梯形厚胶图形更稳定。S105、进行探测器铟柱生长；S106、使用丙酮溶液将所述探测器芯片上的光刻胶溶解掉。本专利技术实施例提供的焦平面探测器铟柱的光刻方法，对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后，再对探测器芯片进行表面烘烤，使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差，然后结合非接触光刻方式的离焦光刻，产生显影后呈倒梯形的厚胶图形，该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小，后续用丙酮溶解光刻胶时，光刻胶表面上的铟更容易脱落，从而得到均匀的铟柱形貌。实施例2本专利技术实施例提供了一种焦平面探测器铟柱的光刻装置，参见图2，该装置包括:涂胶机21，用于在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶。所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12 18微米。烘烤箱22，用于将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为5(T70度，整体烘烤时间为0.5 1小时；对所述光刻机离焦光刻后的所述探测器芯片进行低温烘烤，所述低温烘烤的温度为5(T80度，时间为f 3小时；热板23，用于将所述烘烤箱进行整体烘烤后的探测器芯片进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为9(TllO度，表面烘烤时间为f 3分钟。光刻机24，用于将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻离焦量为-0.0lf0.015毫米，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形。综上所述，本专利技术实施例提供的焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置，对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后，再对探测器芯片进行表面烘烤，使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差，然后结合非接触光刻方式的离焦光刻，产生显影后呈倒梯形的厚胶图形，该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小，后续用丙本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种焦平面探测器铟柱的光刻方法，其特征在于，包括：在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤；将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形；将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。
【技术特征摘要】
1.一种焦平面探测器铟柱的光刻方法，其特征在于，包括: 在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶； 将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤； 将烘烤完的所述 探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形； 将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12 18微米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤的步骤具体包括: 涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为5(T70度，整体烘烤时间为0.5^1小时； 然后再进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为9(T110度，表面烘烤时间为f 3分钟。4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述离焦光刻具体包括:将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻的离焦量为-0.0lf0.015毫米。5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述低温烘烤的温度为5(T80度，时间为广3小时。6.一种焦平面探测器铟柱的光刻装置，其特征在于，包括: 涂覆器，用于在金属化处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，诸子玲，孙浩，钱亚男，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：
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