一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，（a）硅片去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光；（d）选择性发射结及PSG去除清洗；（e）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（f）正面减反射薄膜生长；（g）背面开孔；（h）丝网印刷背银，背铝，正银；（i）烧结，测试。本发明专利技术通过改进生产工艺，保证电池转换效率的同时能够有效降低生产成本，提高企业经济效益，适于产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池的制备方法。
技术介绍
现代化太阳电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，选择性发射结与背面点接触(PERC)技术相结合作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于: (1)优异的蓝光响应:选择性发射结技术有效地解决了发射结浅扩散需求与金属接触高浓度接触需求的矛盾，提升电池的短波响应； (O优异的背反射器:由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证； (2)优越的背面钝化技术:由于背面介质膜的良好的钝化作用，可以将背面复合速率从全铝背的 1000cm/s降低到100-200cm/s ； 当前国内外众多公司及研究单位都在研制单晶硅背面点接触太阳电池，也存在选择性发射结太阳电池的量产，但始终没有一个低成本可量产太阳电池制备方法将两者结合，实现钝化发射结背面点接触单晶硅太阳电池。
技术实现思路
专利技术目的:针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够有效降低生产成本，可实现批量化生产的选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法。技术方案:为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括步骤（a）硅片去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光；（d）形成选择性发射结及PSG去除清洗；（e）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（f）正面减反射薄膜生长（g）背面开孔；（h）丝网印刷背银，背铝，正银；（i）烧结，测试；其中，所述步骤（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG，再对其进行抛光。

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，其特征在于:包括步骤 (a)娃片去损伤并制绒； (b)磷扩散； (c)背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光； Cd)形成选择性发射结及PSG去除清洗； Ce)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长； (f)正面减反射薄膜生长 (g)背面开孔； (h)丝网印刷背银，背铝，正银； (i)烧结，测试； 其中，所述步骤(c)背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG，再对其进行抛光。2.根据权利要求1所述的一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，其特征在于:步骤(a)中所述的娃片为P型娃片，电阻率0.5-6 ohm.cm。3.根据权利要求1所述的一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，其特征在于:所述步骤(b)磷扩散形成η型层，方阻值控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏正月，高艳涛，何恬，孙珠珠，宋文涛，陈同银，刘仁中，李晓强，董经兵，孟津，陶龙忠，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
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