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本发明公开了一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法,(a)硅片去损伤并制绒;(b)磷扩散;(c)背面磷硅玻璃PSG去除,背面抛光;(d)选择性发射结及PSG去除清洗;(e)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长;(f)正面减反射薄膜...该专利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥特斯维能源(太仓)有限公司授权不得商用。
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