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本发明公开了一种低表面浓度浅扩散结太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在制绒后的硅片受光面沉积一层阻挡层；所述阻挡层为微晶硅层；(2)将上述沉积后的硅片投入扩散炉进行扩散；(3)清洗去除上述阻挡层；(4)制备背极背场、印刷正电极、烧结；...
该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司授权不得商用。

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