基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法技术

本发明专利技术涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明专利技术清洗导电玻璃备用；配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并调节至酸性；将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液，利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积；沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干，得到Cu2O薄膜；不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明专利技术可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型，方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜，方法简单且容易操作。

【技术实现步骤摘要】
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
本专利技术属于半导体材料
，具体涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。
技术介绍
电化学沉积是一种被广泛应用于表面材料合成或材料表面处理的重要技术。电化学沉积是指在外加电场的作用下，在一定的电解质溶液（电镀液）中通过发生氧化还原反应，使溶液中的离子以特定的形式沉积到电极（阴极或阳极）表面而得到特定膜层的制备方法。氧化亚铜（Cu2O）是一种重要的直接带隙氧化物半导体材料，禁带宽度约为2eV（电子伏特），其原材料丰富、无毒环保、制备工艺简单、制造成本低。氧化亚铜被广泛地应用于催化剂、太阳能电池、腐蚀防护、锂离子电池负极材料等领域。氧化亚铜根据其内部缺陷的不同，可分为p型导电（空穴导电）和n型导电（自由电子导电）两种。目前，大多数被制备出来的氧化亚铜半导体材料为p型导电，n型导电的氧化亚铜较难制备。p型导电的氧化亚铜的制备方法主要有磁控溅射法、高温氧化法和电化学沉积法等，n型氧化亚铜则主要采用电化学沉积法制备。在以前的研究中，制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜要分别采用不同的制备条件，通常n型导本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：由以下步骤实现：步骤一：依次用丙酮和无水乙醇超声清洗FTO或ITO导电玻璃各15‑20分钟，再用二次蒸馏水冲洗掉多余的丙酮和无水乙醇，氮气中吹干备用；步骤二：用二次蒸馏水配置摩尔浓度为0.0001‑1mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并将铜盐溶液的pH值调节至酸性；步骤三：将SDS加入铜盐溶液中，机械搅拌使SDS在溶液中充分溶解，得到电镀液，利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积；或利用恒电位仪在铜盐溶液中进行电沉积，在电沉积过程中逐次加入SDS；SDS在电镀液中的摩尔浓度控制在其临界胶束摩尔浓度0.008 mol/L...

【技术特征摘要】
1.基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法，其特征在于：由以下步骤实现：步骤一：依次用丙酮和无水乙醇超声清洗FTO或ITO导电玻璃各15-20分钟，再用二次蒸馏水冲洗掉多余的丙酮和无水乙醇，氮气中吹干备用；步骤二：用二次蒸馏水配置摩尔浓度为0.0001-1mol/L的铜盐溶液作为二价铜离子的来源，并将铜盐溶液的pH值调节至酸性；步骤三：将SDS加入铜盐溶液中，机械搅拌使SDS在溶液中充分溶解，得到电镀液，利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积；或利用恒电位仪在铜盐溶液中进行电沉积，在电沉积过程中逐次加入SDS；SDS在电镀液中的摩尔浓度控制在其临界胶束摩尔浓度0.008mol/L以下；步骤四：沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鹰，韩娟，宁晓辉，汤宏胜，曹炜，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61