介质层的形成方法技术

一种介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力；刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔内填充满金属层；对所述介质层进行第二次处理，降低介质层的介电常数。本发明专利技术有效防止了超低k介质层的k值漂移及电容的大幅变化，保证半导体器件的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，特别是一种介质层的形成方法。
技术介绍
目前在半导体制造的后段工艺中，为了连接各个部件构成集成电路，通常使用具有相对高导电率的金属材料例如铜进行布线，也就是金属布线。而用于金属布线之间连接的通常为导电插塞。用于将半导体器件的有源区与其它集成电路连接起来的结构一般为导电插塞。现有导电插塞通过通孔工艺或双镶嵌工艺形成。在现有形成铜布线或导电插塞的过程中，通过刻蚀介质层形成沟槽或通孔，然后 于沟槽或通孔中填充导电物质。然而，当特征尺寸达到深亚微米以下工艺的时候，在制作铜布线或导电插塞时，为防止RC效应，须使用超低介电常数(Ultra low k)的介电材料作为介质层(所述超低k为介电常数小于等于2. 6)。在美国专利申请US11/910054中公开了一种采用超低k介电材料作为介质层的技术方案。在半导体器件的后段制作过程中，在制作铜金属布线过程中采用超低k介质层的工艺如图I至图4所示，参考图1，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有如晶体管、电容器、导电插塞等结构。在半导体衬底10上形成超低k介质层20。如图2所示，在超低k介质层20上涂覆光刻胶层40 ;经过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力；刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔内填充满金属层；对所述介质层进行第二次处理，降低介质层的介电常数。

【技术特征摘要】
1.一种介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成介质层； 对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力； 刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔； 在沟槽或通孔内填充满金属层； 对所述介质层进行第二次处理，降低介质层的介电常数。2.根据权利要求I所述的形成方法，其特征在于所述第一次处理采用紫外线或电子束。3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于所述紫外线的波长为210nm 230nmo4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于所述紫外线处理所需要时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，张彬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：