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一种介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力；刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔内填充满金属层；对所述介质层进行第二次处理，降低介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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