用于制造碳化硅半导体装置的方法和设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造SiC半导体装置的方法，所述方法包括：在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4)；除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)；以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间，将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造碳化硅(SiC)半导体装置的方法和设备，更特别地，涉及用于制造具有氧化物膜的SiC半导体装置的方法和设备。
技术介绍
在制造半导体装置的方法中，为了除去附着至表面的沉积物，通常实施清洁。例如，在日本特开平6-314679号公报(专利文献I)中公开的技术可例示为这种清洁方法。以如下方式实施专利文献I中的清洁半导体衬底的方法。首先，利用含臭氧的超纯水对硅(Si)衬底进行清洁，由此形成Si氧化物膜，从而将颗粒和金属杂质并入到这种Si氧化物膜的内部或表面中。然后，利用稀释的氢氟酸水溶液对该Si衬底进行清洁，从而将Si氧化物膜腐蚀掉并同时除去颗粒和金属杂质。引用列表专利文献专利文献I :日本特开平6-314679号公报
技术实现思路
技术问题本专利技术人首次揭示了，将上述专利文献I中公开的清洁方法用于制造SiC半导体装置会引起如下问题。在制造例如作为SiC半导体装置的MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)中，例如在SiC衬底上形成SiC外延层，对该外延层的表面进行清洁，并在该表面上形成栅氧化物膜。即使利用上述专利文献I中的清洁方法对外延层的表面进行清洁，杂质仍会沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田健良，和田圭司，伊藤里美，日吉透，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：