一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及紧靠栅极结构的间隙壁结构，且在所述间隙壁结构两侧的源/漏区中以及所述栅极结构的顶部形成有金属硅化物层；对所述半导体衬底进行氧化，在所述金属硅化物层上形成一薄氧化物层；去除所述间隙壁结构。根据本发明专利技术，可以有效保护金属硅化物层（尤其是NiSi层）和Si衬底不受H3PO4腐蚀液的破坏，使得后续的欧姆接触的实施不受影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种用于应力近临技术(StressProximity Technology)的湿法蚀刻方法。
技术介绍
随着深亚微米半导体技术的不断发展，多晶硅的节距大幅缩小。目前，通过多晶硅栅两侧的间隙壁结构(通常由氮化硅构成)来实施应力近临技术，其可以增强对沟道的应力影响，同时能够扩大填充层间介电层的工艺边际。 现有的应力近临技术采用两种方法来去除氮化硅间隙壁结构一种方法是干法蚀亥|J，由于蚀刻过程中氟的攻击，该方法会造成较多的位于所述间隙壁两侧的源/漏区中的金属硅化物，例如硅化镍(NiSi)的损失；一种方法是采用H3POJt为腐蚀液的湿法蚀刻，该方法通过较小的蚀刻量来降低NiSi的损失，但是在增加湿法蚀刻量以及存在高剂量注入的NiSi时，由于H3PO4的攻击，NiSi的损伤将会增多。因此，需要提出一种方法，在不损伤所述氮化硅间隙壁的情况下，控制蚀刻去除氮化娃间隙壁结构时NiSi的损失。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及紧靠栅极结构的间隙壁结构，且在所述间隙壁结构两侧的源/漏区中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及紧靠栅极结构的间隙壁结构，且在所述间隙壁结构两侧的源/漏区中以及所述栅极结构的顶部形成有金属硅化物层；对所述半导体衬底进行氧化，在所述金属硅化物层上形成一薄氧化物层；去除所述间隙壁结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，李超伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：