在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法技术

本发明专利技术涉及在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法。该用于形成半导体器件的方法包括：在处理室中的衬底保持器上设置衬底，其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征；使处理气体流入所述处理室，其中所述处理气体包含碳氢化合物气体，包含氧的气体，以及可选的氩或氦。该方法还包括在所述处理室中保持处理气体压力为至少1Torr；利用微波等离子体源来利用所述处理气体形成等离子体；并且将所述衬底暴露至等离子体，以在所述升起特征的表面上沉积共形无定形碳膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造半导体器件的方法，具体涉及用于。
技术介绍
在半导体制造中需要新的方法用于在高级器件上的升起特征上低温沉积共形无定形碳膜。用于沉积碳膜的现有方法包括等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)，其存在于升起特征上出现非共形沉积的问题，其中碳膜优选地沉积在升起特征的顶部以及升起特征之间的场区域中，而在升起特征的侧壁上碳膜的沉积很少
技术实现思路
·本专利技术的实施例提供了处理方法，用于在衬底的升起特征上沉积高度共形无定形碳膜。在一个示例中，共形碳膜可被图案化，并被用作硬掩膜以在下层材料层或衬底中蚀刻特征。根据本专利技术的一个实施例，该方法包括在处理室中的衬底保持器上设置衬底，其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征；使处理气体流入所述处理室，其中所述处理气体包含碳氢化合物气体，包含氧的气体，以及可选的氩或氦；在所述处理室中保持处理气体压力为至少ITorr ;利用微波等离子体源来利用所述处理气体形成等离子体。该方法还包括将所述衬底暴露至等离子体，以在所述升起特征的表面上沉积共形无定形碳膜，其中，在所述顶表面上的所述共形无定形碳膜的厚度与在所述侧壁表面上的所述共形无定形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中的衬底保持器上设置衬底，其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征；使处理气体流入所述处理室，其中所述处理气体包含碳氢化合物气体，包含氧的气体，以及可选的氩或氦；在所述处理室中保持处理气体压力为至少1Torr；利用微波等离子体源来利用所述处理气体形成等离子体；并且将所述衬底暴露至等离子体，以在所述升起特征的表面上沉积共形无定形碳膜，其中，在所述顶表面上的所述共形无定形碳膜的厚度与在所述侧壁表面上的所述共形无定形碳膜的厚度之比(d(顶部)/d(侧壁))小于2。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高羽博之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：