制备无氮介质抗反射层薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，该方法采用化学气相沉积工艺制备无氮介质抗反射层薄膜，其中，化学气相沉积工艺采用硅烷、二氧化碳和氦气作为反应气体，其反应的腔体压力大于3mTorr，并且保持每一步的主要沉积时间大于3S，从而极大地提高了制得的无氮介质抗反射层薄膜的193nm?n/k值的均一性，使其满足193nm光刻工艺的需求，能够给予光刻更大的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体元件集成度提高，半导体元件的线宽要求越来越小，关键尺寸(CD，Critical Dimension)的控制也越来越重要。在光刻制程中，由于晶圆表面已存在外型的高低落差，因此在光阻覆盖于晶圆表面时，会随着光阻的平坦化特性，造成光阻厚度不一。因而当曝光光线在光阻中行进时，在晶圆表面会存在一定的衍射、反射和散射现象，从而降低 了随着曝光加工特征尺寸的缩小，并且入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，通常采用的一种方式是在形成曝光光刻胶之前，先在晶圆的表面覆盖一层介质抗反射层(DARC, Dielectric Anti-ReflectionCoating)，如氮氧化硅(SiON)。这是因为DARC层受到晶圆表面的布局起伏的影响较小。并且该方法特别适用于深紫外光刻技术(例如193nm光刻技术)。该方法的主要特点是可以通过调节DARC层的材料(Si、0、N或C)比例或改变CVD的制程参数(如气体流量、压力等)来调整 DARC 层的反射指数(refractive index) η 与吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，其特征在于，该方法采用化学气相沉积工艺制备无氮介质抗反射层薄膜，其中化学气相沉积工艺的工艺条件为：反应气体：硅烷、二氧化碳和氦气；腔体压力：大于3mTorr；沉积时间：每一步的主要沉积时间大于3S。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周军，贺忻，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：