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本发明公开了一种制备无氮介质抗反射层薄膜的方法，该方法采用化学气相沉积工艺制备无氮介质抗反射层薄膜，其中，化学气相沉积工艺采用硅烷、二氧化碳和氦气作为反应气体，其反应的腔体压力大于3mTorr，并且保持每一步的主要沉积时间大于3S，从而极大...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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