【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
半导体制造工艺是一种平面制造工艺,该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电气性能。其中，任一工艺出现偏差，都将会造成电路的性能参数偏离设计值。目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。以刻蚀工艺为例，集成电路制造中，常需要利用刻蚀技术形成各种刻蚀图案，如接触孔、通孔图形，沟槽隔离图形或栅极图形，如果因控制不当使上述刻蚀图形的特征尺寸出 现偏差，则将直接影响到电路的性能，降低产品的成品率。湿法刻蚀是现代半导体制造中不可或缺的一道工艺。所述湿法刻蚀在芯片制造过程中主要有如下作用，其一是清洗晶圆，减少晶圆的污染和缺陷；其二是非选择性刻蚀某些特定的薄膜，典型性的列举，如在浅沟槽隔离工艺中氮化硅牺牲层的刻蚀，以及浅沟槽隔离中台阶高度(step height)氧化物膜的调节刻蚀等。对于薄膜刻蚀而言，随着半导体器件的缩小，对于刻蚀稳定性和精确度的要求越来越高。例如在所...
【技术保护点】
一种湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置包括：刻蚀槽，所述刻蚀槽容置所述刻蚀溶液；膜厚测试装置，所述膜厚测试装置采用光学测量模式，并可对位于所述刻蚀槽中的待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位，且对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜厚在刻蚀过程中进行实时监控；刻蚀控制装置，所述刻蚀控制装置具有预定设置的预设膜层厚度，并可将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓镭，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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