条形结构的刻蚀方法技术

一种条形结构的刻蚀方法，包括：提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；在所述待刻蚀薄膜表面形成掩膜层，在所述掩膜层内形成贯穿所述掩膜层的通孔，所述通孔与待形成的条形结构较短边的位置对应；在所述掩膜层表面形成条形图案，以所述条形图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，直至暴露出待刻蚀薄膜，形成掩膜层图案；以所述掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板。通过在待刻蚀薄膜表面形成一层较硬的掩膜层，以所述较硬的掩膜层为掩膜对待刻蚀薄膜进行刻蚀，刻蚀出的图形可以与掩模图形高度一致，刻蚀出的条形结构端点的棱角不会过度刻蚀形成圆角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及半导体制造中。
技术介绍
随着超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration, ULSI)的快速发展,集成电路的制造工艺变得越来越复杂和精细，多晶硅栅、金属互连线等条形结构的宽度变得越来越细，条形结构之间的距离变得越来越小，利用干法刻蚀形成满足工艺要求的条形结构变得越来越困难。目前的工艺制造技术，形成条形结构通常是采用一层有条形图形的掩膜版对光刻胶层进行曝光显影形成条形的光刻胶，利用所述条形的光刻胶作掩膜对待刻蚀薄膜进行干法刻蚀形成条形结构。但是在光刻胶曝光显影过程中，由于曝光的光线会产生衍射现象， 形成的条形光刻胶层的棱角会形成圆角。在进行干法刻蚀形成条形结构时，由于条形结构的棱角部分较细，棱角顶端部分更容易被过度刻蚀掉，条形结构的棱角变成了圆角，而且随着条形结构的宽度变得越来越细，条形结构的较短边的长度也变得越来越小，位于较短边两端的两个圆角的距离也变得越来越近。当条形结构的宽度小于所述两个圆角的半径和时，由于形成位于较短边两端的两个圆角时都要对较短边进行刻蚀，使得条形结构的较短边完全被刻蚀掉，从而缩短了条形结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种条形结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；在所述待刻蚀薄膜表面形成掩膜层，在所述掩膜层内形成贯穿所述掩膜层的通孔，所述通孔与待形成的条形结构较短边的位置对应；在所述掩膜层表面形成条形图案，以所述条形图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，直至暴露出待刻蚀薄膜，形成掩膜层图案；以所述掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊卿，孟晓莹，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：