【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用等离子处理装置的，特别涉及抑制异物的。
技术介绍
为了制造高精细化、复杂化的半导体器件，就需要对作为被蚀刻材料的膜高选择性地且垂直地进行等离子蚀刻的技术。作为其一，相对于基底及作为掩模材料使用的氧化硅膜(SiO2)高选择性地且垂直地等离子蚀刻氮化硅膜(Si3N4)就成为重要课题。作为解决此课题的技术，在专利文献I中公开了使用CH3或CH2F2等由C、H、F组成且F对H之比小于等于2的这种气体，相对于氧化硅膜以高选择比蚀刻氮化硅膜这一方法。另外，在专利文献2中公开了在氮化硅蚀刻中使晶片偏压功率值上下变动以提高选择性这 一技术。现有技术文献专利文献专利文献I日本专利公开特开昭60-115232号公报专利文献2日本专利公开特开平6-267895号公报虽然在上述的现有技术中，兼顾高选择性和垂直性较高的形状，但由于使用CH3气体或CH2F2气体的等离子体，所以使包含堆积性较强的碳的反应生成物发生许多。因此，在等离子处理室的内壁就会堆积许多碳系的反应生成物，若处理一定程度的枚数(片数)堆积膜就会剥落并作为异物落到晶片上。蚀刻加工的不良就会因在此晶片上落下的...
【技术保护点】
一种等离子处理方法，从被导入到处理室内的堆积性气体生成等离子体，通过使载置于该处理室内所设置的试料台上的被处理体以施加了高频电力的状态暴露于上述等离子体中来进行上述被处理体的蚀刻，该等离子处理方法的特征在于：通过重复将上述被处理体暴露于上述等离子体中的第一期间和将上述被处理体暴露于上述等离子体中且针对上述被处理体的蚀刻速率低于该第一期间的第二期间，在向上述处理室内壁面的堆积膜成为非结晶的蚀刻条件下蚀刻上述被处理体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井上喜晴，森本未知数，松本刚，小野哲郎，金清任光，药师寺守，宫地正和，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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