【技术实现步骤摘要】
属微电子芯片制造领域中的工艺制造方法，特指带有外延EPI工艺的产品的工艺制造方法
技术介绍
在半导体生产中，为了后续光刻层次的对准，通常硅片投入以后立刻利用基板产生零标。对于一种沟槽形的金属氧化物半导体场效应管MOS器件，其通常的工艺为沉积衬垫氧化层； 旋涂光刻胶，进行零层曝光，刻蚀产生以硅衬底为台阶的零标；沉积沟槽刻蚀阻挡层或外延EPI生长阻挡层；刻蚀深沟槽；填充外延EPI ；利用步骤3中的阻挡层进行化学机械研磨CMP或回刻平坦化。当硅沟槽深度不大时(< IOum)，刻蚀阻挡层是一个很好的方法用来控制沟槽刻蚀的深度和化学机械研磨CMP的过抛光量。但是对于> 10um，尤其是超级结半导体，或硅通孔，绝缘栅双极型晶体管IGBT等工艺中需要> 30um的沟槽时，刻蚀阻挡层由于刻蚀量太大，其均匀性无法满足需求，会放大此不均匀性使表面毛糙最终形成针尖状缺陷，大大降低产品的可靠性和引起高压下的漏电。同时这种缺陷由于面积很小且很高，机械强度很差，在后续工艺中很容易发生断裂，形成各种缺陷导致硅片边缘成品率下降，同时会使设备颗粒增加，影响生产线的实际生产效率。...
【技术保护点】
一种适用于外延EPI工艺的零标形成方法，其特征在于，包括以下步骤：旋涂光刻胶，进行零层曝光，刻蚀产生以硅衬底为台阶的零标；沉积衬垫氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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