【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及EPI (外延)生长工艺。
技术介绍
目前，EPI (外延)生长工艺是半导体制造过程中较常见的工艺，但是EPI后，特别是厚EPI工艺后，常常会带来一个问题:即形成了不良的光刻标记。如图1所示，在EPI工艺前，光刻标记清晰可见；而EPI工艺后，形成的不良的光刻标记，甚至几乎不可见，如图2所示。不良的光刻标记会直接造成后续光刻对准工艺的困难，甚至无法对准。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以改善光刻对准标记。为解决上述技术问题，本专利技术的，步骤包括:I)在晶圆衬底上，形成光刻标记；2)生长外延；3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；4)重复步骤2)?3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。所述衬底的材质为适合进行外延生长工艺的材质，例如单晶硅。较佳的，每次外延生长的厚度为5?15 μ m。本专利技术通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性。【附图说明】图1是EPI工艺前的光刻标记。图2是EPI工艺后的光刻标记。其中，图(b)是图(a)的光刻标记的局部放大图。图3是本专利技术实施例在生长EPI前做的第一组光刻标记。图4是本专利技术实施例第一次生长EPI后的第一组光刻标记。图5是本专利技术实施例第一次生长EPI后做的第二组光刻标记。图6是本专利技术两次EPI后的光刻标记。【具体实施...
【技术保护点】
外延生长工艺方法，其特征在于，步骤包括：1)在晶圆衬底上，形成光刻标记；2)生长外延；3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；4)重复步骤2)～3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。