【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路工艺制造领域，具体涉及一种制作可变光栅结构的方法。
技术介绍
1、光栅的工作原理基于衍射现象，当光线通过光栅时，会发生衍射现象，即光线会被分解成不同的波长，形成一系列亮暗相间的光斑。光栅结构的尺寸和深度决定了光栅分辨率和透射率。现在市场上出现的新型可穿戴显示系统，如增强、虚拟现实或者混合现实装置(augmented/virtual/mixed reality，简称ar/vr/mr技术)，即使用了衍射光栅组件。该装置使用光学组件将图像自显示器传递到人眼中，为了得到更好的显示效果，需要在衍射视场中形成具有不同深度的光学光栅结构，如图1所示。
2、现有的微衍射光栅结构通常采用纳米压印技术或者激光直写来实现，存在制作工艺复杂、成本高昂等缺点。集成电路制造工艺具有大规模、低成本生产优势，如果能够用来制作微衍射光栅结构，将能够极大的促进可穿戴系统的推广应用。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种制作可变光栅结构的方法，用于解决现有技术中可变光栅结构的制作工艺复杂、成本高昂等问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种制作可变光栅结构的方法，包括：
3、步骤一，提供一硅基体，在硅基体上形成第一光刻胶层；
4、步骤二，采用灰度掩模版对第一光刻胶层实施低剂量曝光，显影后第一光刻胶层呈厚度连续变化的形貌；
5、步骤三，刻蚀硅基体，使硅基体呈厚度连续变化的形貌，而后去除第一光
6、步骤四，在硅基体上形成第一介质层；
7、步骤五，在第一介质层上形成第二光刻胶层，并在第二光刻胶层中形成多个沟槽；
8、步骤六，刻蚀第一介质层，在第一介质层中形成深度可变的多个沟槽；
9、步骤七，去除第二光刻胶层后，在沟槽中填充第二介质层；
10、步骤八，键合基板后，翻转硅基体，背面减薄硅基体；
11、步骤九，去除硅基体和第一介质层。
12、优选的，灰度掩模版的透射率连续可调。
13、优选的，通过沉积工艺在硅基体上形成第一介质层。
14、优选的，该沉积工艺包括高密度等离子体沉积。
15、优选的，第一介质层的材料与硅基体有高刻蚀选择比。
16、优选的，该刻蚀选择比大于5:1。
17、优选的，步骤六中的刻蚀在露出硅基体时终止。
18、优选的，通过先沉积再平坦化或回刻蚀的工艺在沟槽中填充第二介质层。
19、优选的，第二介质层的材料包括具有高折射率的材料或者用于制作金属光栅结构的金属材料。
20、优选的，具有高折射率的材料包括tio2或sic。
21、优选的，用于制作金属光栅结构的金属材料包括al或au。
22、优选的，基板的材料包括透明玻璃或者高分子材料。
23、如上所述，本申请提供的制作可变光栅结构的方法，具有以下有益效果：通过集成电路制造工艺制作可变光栅结构，具有大规模、低成本生产优势。
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1.一种制作可变光栅结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灰度掩模版的透射率连续可调。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺在所述硅基体上形成所述第一介质层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺包括高密度等离子体沉积。
5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述硅基体有高刻蚀选择比。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀选择比大于5:1。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤六中的刻蚀在露出所述硅基体时终止。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过先沉积再平坦化或回刻蚀的工艺在所述沟槽中填充所述第二介质层。
9.根据权利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括具有高折射率的材料或者用于制作金属光栅结构的金属材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述具有高折射率的材料包括TiO2或SiC。>
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述用于制作金属光栅结构的金属材料包括Al或Au。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板的材料包括透明玻璃或者高分子材料。
...【技术特征摘要】
1.一种制作可变光栅结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灰度掩模版的透射率连续可调。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺在所述硅基体上形成所述第一介质层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺包括高密度等离子体沉积。
5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述硅基体有高刻蚀选择比。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀选择比大于5:1。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤六中...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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