【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种闪存器件的制造方法。
技术介绍
1、快闪存储器包括两种基本结构：栅极叠层(stackgate)和分栅(splitgate)器件。其中，分栅器件在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线，字线作为选择栅，在擦写性能上，分栅器件有效的避免了叠栅器件的过擦除效应，电路设计相对简单。
2、擦除是闪存的关键性能之一，其一般原理是采用fn-tunneling，将电子由浮栅中移除。采用尖端放电的结构，可以有效提升fn-tunneling的擦除效率，广泛用于闪存器件中。如何在制造工艺上稳定实现浮栅的尖端结构，成为挑战产品擦除性能的关键环节之一。
3、在现有技术中，通过刻蚀和清洗形成在浮栅上的浮栅侧墙的方式，实现浮栅尖端结构。然而在上述方法中，常会由于工艺处理不当，导致形成的浮栅尖端结构的侧壁高度因过高而发生反向隧穿效应、擦除失效，或导致形成的浮栅尖端结构的侧壁高度因过低而发生尖端折断、擦除失效的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种闪存器件的制造方法，以解决现有的闪存器件中浮栅结构的浮栅尖端过高或过低所引起的反向隧穿效应、擦除失效问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种闪存器件的制造方法，至少可以包括如下步骤：
3、提供一基底，所述基底上层叠设置有浮栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层中设置有暴露所述浮栅层的凹槽；
4、形成第一牺牲层和第一侧墙，所述第一牺牲层至少覆盖在所述凹槽的两侧侧壁上，
5、形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖在所述第一侧墙以及位于第一侧墙下方的浮栅层的侧壁上，并延伸覆盖在所述凹槽底部暴露出的基底上，以使所述第二牺牲层和第一牺牲层包裹在所述第一侧墙的外侧四周；
6、去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层，并继续对所述基底进行清洗工艺，以沿垂直方向进一步至少去除所述第一牺牲层，且暴露位于所述第一侧墙两侧的浮栅层，所述垂直方向为平行于所述基底表面的方向；
7、去除所暴露的所述浮栅层，以在所述第一侧墙的下方形成浮栅结构，且所述浮栅结构中远离所述第二牺牲层的侧壁的顶部具有浮栅尖端。
8、在其中一些可选的示例中，所述第一侧墙的材料包括氮化物，所述氮化物包括氮化硅。
9、在其中一些可选的示例中，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料包括氧化物，所述氧化物包括二氧化硅。
10、在其中一些可选的示例中，去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
11、在其中一些可选的示例中，对所述基底进行清洗工艺，以沿垂直方向进一步至少去除所述第一牺牲层的步骤中，还沿所述垂直方向同步去除了部分所述第一侧墙。
12、在其中一些可选的示例中，所述清洗工艺的清洗液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
13、在其中一些可选的示例中，所述清洗工艺的工艺时间范围为：10min～15min。
14、在其中一些可选的示例中，位于所述凹槽底部侧壁所暴露出的浮栅层和部分所述第一侧墙侧壁上的第二牺牲层，作为所述闪存器件的第二侧墙。
15、在其中一些可选的示例中，在形成形成第一牺牲层和第一侧墙的步骤中，形成的所述第一牺牲层还延伸覆盖在所述凹槽底部所暴露出的浮栅层的顶面上。
16、在其中一些可选的示例中，在形成所述第二牺牲层之后，且在去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层之前，还包括：在所述凹槽内形成源线层。
17、在其中一些可选的示例中，在提供的所述基底上形成所述浮栅层之前，还包括：在所述基底上形成耦合氧化层。
18、在其中一些可选的示例中，所述具有浮栅尖端的浮栅结构在沿垂直于所述基底的方向上的高度范围为：
19、与现有技术相比，本专利技术技术方案至少具有以下有益效果之一：
20、在本专利技术提出了一种闪存器件的制造方法中，在所述凹槽内形成沿垂直方向依次覆盖在凹槽侧壁上的第一牺牲层(如氧化物)、第一侧墙(如氮化物)和第二牺牲层(如氧化物)，以在后续对基底进行刻蚀去除硬掩膜层的过程中，通过所述第一牺牲层的隔离作用，让刻蚀工艺的酸性溶液不会与所述第一侧墙直接接触，防止第一侧墙捕获电荷，并在后续进一步进行清洗工艺的过程中，通过对作为阻挡的所述第一牺牲层和第一侧墙的精确控制，避免第一侧墙沿垂直方向发生过多的回推效应所造成的形成的浮栅结构的浮栅尖端过高或过低，进而达到稳定具有浮栅尖端的浮栅结构的稳定性和提高闪存器件性能稳定性的目的。
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1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氮化物，所述氮化物包括氮化硅。
3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料包括氧化物，所述氧化物包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
5.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，对所述基底进行清洗工艺，以沿垂直方向进一步至少去除所述第一牺牲层的步骤中，还沿所述垂直方向同步去除了部分所述第一侧墙。
6.如权利要求5所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述清洗工艺的清洗液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
7.如权利要求5所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述清洗工艺的工艺时间范围为：10min～15min。
8.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成形成第一牺牲层和第一侧墙的步骤中，形成的所述第一牺牲层还延伸覆盖在所述凹槽底部所暴露出的浮栅层的顶面上。
10.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二牺牲层之后，且在去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层之前，还包括：在所述凹槽内形成源线层。
11.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在提供的所述基底上形成所述浮栅层之前，还包括：
12.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述具有浮栅尖端的浮栅结构在沿垂直于所述基底的方向上的高度范围为：
...【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氮化物，所述氮化物包括氮化硅。
3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料包括氧化物，所述氧化物包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，去除位于所述凹槽两侧的所述硬掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
5.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，对所述基底进行清洗工艺，以沿垂直方向进一步至少去除所述第一牺牲层的步骤中，还沿所述垂直方向同步去除了部分所述第一侧墙。
6.如权利要求5所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述清洗工艺的清洗液包括酸性溶液，所述酸性溶液包括热磷酸。
7.如权利要求5所述的闪存器件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：付博，曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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