【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。更具体地，本专利技术涉及接合其中形成有金属层的半导体衬底的方法。
技术介绍
通常，在一片半导体衬底上沉积金属层和绝缘层，或者形成微图案，以便形成半导体器件。此外，也可通过接合形成有诸如金属层和绝缘层之类的薄膜层以及微图案的两片或更多片半导体衬底，形成半导体器件。半导体衬底意指通过生长半导体原材料，并使半导体原材料单晶化成棒状，根据晶体取向薄薄地模切单晶化的半导体原材料，并且研磨和抛光模切的半导体原材料而获得的衬底，也被称为晶片。当接合两片或更多片半导体衬底时，必须考虑在半导体衬底的对准期间产生的误差。通常，在半导体衬底的对准中，通过利用光学测量方法来调整在半导体衬底中形成的对准键，以便接合半导体衬底。然而，在这种情况下，也会产生微小的误差。此外，在多次接合处理期间会产生由热膨胀引起的对准误差，或者归因于接合期间的热或压力，金属层会再流动，使得会产生缺陷。在本
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用于增进对本专利技术的背景的理解，因此其可能包含不构成本国内本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于当接合其中形...
【技术保护点】
一种接合半导体衬底的方法，包括：在第一半导体衬底上形成对准键；在第二半导体衬底上形成第一突起和第二突起，以及位于第一突起与第二突起之间的对准槽；分别在第一突起和第二突起上形成第一金属层和第二金属层；以及接合第一半导体衬底和第二半导体衬底，其中当第一半导体衬底与第二半导体衬底接合时，对准键定位于对准槽。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：俞一善，李熙元，权纯明，金炫秀，
申请(专利权)人：现代自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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