The invention discloses a semiconductor laser coupling system, including: Min bar laser diode array, including a plurality of light emitting units; polarization beam combiner, the plurality of light emitting elements emitting laser beam, laser beam; reflection mirror is arranged on the Min bar laser diode array and the polarization beam combiner, for receiving the plurality of light emitting units of the laser, and the reflection to the polarization beam combiner; for the optical output of the laser beam. Because the Min bar laser diode array includes a plurality of light emitting units, the output power of the total output power is relatively single existing technology in every single fiber coupling device in high beam technology, therefore, the laser output power is the same, with the number of chips is less, can effectively reduce the volume of the semiconductor laser coupling system and increase the total power output, and relative to the stack coupling module, the beam quality is greatly improved.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器光纤耦合系统
本专利技术涉及激光耦合
,特别涉及一种半导体激光器光纤耦合系统。
技术介绍
千瓦级高功率半导体激光器光纤耦合模块在工业切割、焊接、熔覆等领域有广泛的应用。目前,市场上千瓦级高功率半导体激光器光纤耦合模块主要使用单管合束技术,一台千瓦的半导体激光器光纤耦合模块需要100个以上的单管芯片,组装难度较大,成本比较高。如果利用叠阵(stack)合束技术,由于阵列的光束质量比较差,很难耦合到小芯径光纤里,影响其使用,并且用于阵列合束的光学元器件复杂不易装调,成本比较高。因此,如何输出大功率激光的同时减小半导体激光器光纤耦合模块的体积是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种半导体激光器耦合系统,有效减小半导体激光器光纤耦合模块的体积,同时输出大功率激光。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体激光器耦合系统,包括:Min-bar激光二极管阵列,包括多个发光单元;偏振合束器,用于将所述多个发光单元的出射激光进行合束,得到激光束;反射镜,设置于所述Min-bar激光二极管阵列与所述偏振合束器之间,用于接收所述多个发光单元的出射激光,并将其反射至所述偏振合束器中;用于输出所述激光束的光纤。优选的,在上述半导体激光器耦合系统中,所述发光单元的出射激光的激光功率范围为50W-60W。优选的,在上述半导体激光器耦合系统中,所述Min-bar激光二极管阵列的个数至少为四组,所述Min-bar激光二极管阵列包括至少五个所述发光单元。优选的,在上述半导体激光器耦合系统中,所述Min-bar激光二极管阵列中的所述发 ...
【技术保护点】
一种半导体激光器耦合系统,其特征在于,包括:Min‑bar激光二极管阵列,包括多个发光单元;偏振合束器,用于将所述多个发光单元的出射激光进行合束,得到激光束;反射镜,设置于所述Min‑bar激光二极管阵列与所述偏振合束器之间,用于接收所述多个发光单元的出射激光,并将其反射至所述偏振合束器中;用于输出所述激光束的光纤。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器耦合系统,其特征在于,包括:Min-bar激光二极管阵列,包括多个发光单元;偏振合束器,用于将所述多个发光单元的出射激光进行合束,得到激光束;反射镜,设置于所述Min-bar激光二极管阵列与所述偏振合束器之间,用于接收所述多个发光单元的出射激光,并将其反射至所述偏振合束器中;用于输出所述激光束的光纤。2.如权利要求1所述的半导体激光器耦合系统,其特征在于,所述发光单元的出射激光的激光功率范围为50W-60W。3.如权利要求2所述的半导体激光器耦合系统,其特征在于,所述Min-bar激光二极管阵列的个数至少为四组,所述Min-bar激光二极管阵列包括至少五个所述发光单元。4.如权利要求3所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:丛海兵,郝明明,牟中飞,陶丽丽,招瑜,李京波,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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