一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法技术

本发明专利技术提供了一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法，包括：第一步骤：在硅片上形成由隔离结构隔开的鳍形栅极结构；第二步骤：在鳍形栅极结构的暴露部分上形成掺磷碳化硅薄膜，其中在掺磷碳化硅薄膜上在<111>晶向上形成了缺陷层；第三步骤：采用四甲基氢氧化铵溶液作为刻蚀液处理硅片，以便完全去除掺磷碳化硅薄膜表面在<111>晶向上生成的缺陷层；第四步骤：在利用刻蚀液处理硅片之后，清洗去除第三步骤中在硅片上产生的颗粒物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及。
技术介绍
在提高集成电路芯片性能的众多方法中，娃应变技术(strain Si)技术能够提升器件性能而且节省制造成本而被广泛采用在传统的体硅CMOS (Bulk CMOS)工艺技术上。对于η型晶体管，一般在晶体管上沉积拉伸应力的氮化硅薄膜材料，如应力记忆层(SMT)薄膜和接触刻蚀停止层(CESL)薄膜。当晶体管上沉积的是伸张应力的氮化硅薄膜材料时，在晶体管沟道产生的应力也是拉伸应力，因此能够有效提升电子在沟道中的迀移率，提升芯片性能。但是当工艺节点升级到20纳米时，体硅CMOS (bulk CMOS)工艺技术将无法获得等比例缩小(scaling)的性能、成本和功耗优势。面对体硅CMOS工艺技术的这个极限，三维立体架构的鳍式场效应晶体管(FinFET)技术因为具有功耗低、面积小的优点被业界广泛采用来取代传统体硅晶体管技术以延续CMOS工艺技术在20纳米及更先进技术节点的等比例缩小。在鳍式场效应晶体管架构中，栅极被设计成类似鱼鳍的叉状三维结构，可以减小沟道漏电流(leakage current)，大幅改善栅极开关电路的控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片上形成由隔离结构隔开的鳍形栅极结构；第二步骤：在鳍形栅极结构的暴露部分上形成掺磷碳化硅薄膜，其中在掺磷碳化硅薄膜上在<111>晶向上形成了缺陷层；第三步骤：采用四甲基氢氧化铵溶液作为刻蚀液处理硅片，以便完全去除掺磷碳化硅薄膜表面在<111>晶向上生成的缺陷层；第四步骤：在利用刻蚀液处理硅片之后，清洗去除第三步骤中在硅片上产生的颗粒物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟斌，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31