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本发明提供了一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法，包括：第一步骤：在硅片上形成由隔离结构隔开的鳍形栅极结构；第二步骤：在鳍形栅极结构的暴露部分上形成掺磷碳化硅薄膜，其中在掺磷碳化硅薄膜上在<111>晶向上形成了缺陷...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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