锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、第二光刻胶层位于下地图形的台阶结构外的其它区域；第一光刻胶层在涂布于平坦结构上；第一光刻胶层为正性光刻胶、第二光刻胶层为负性光刻胶。本发明专利技术能够改善光刻胶形貌，提高对关键尺寸的控制能力，有利于获得更小尺寸的光刻图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法。
技术介绍
在半导体双极((Bi-polar)或双极CMOS (Bi-CMOS)工艺中，为了提高器件的截止频率和速度特性，往往会引入锗硅(SiGe)工艺来制造三极管的基区(Base)。但是由于锗硅薄膜中应变能的存在，使得外延生长的锗硅薄膜表面变得非常粗糙，而锗硅薄膜的这种粗糙表面造成的光的漫反射会严重影响后续的光刻工艺，使光刻胶的形貌变差，进而使光刻特征尺寸变得难以控制且不利于关键尺寸的小型化。同时在现有锗娃双极CMOS工艺还存在跨越下地图形(gate poly)的跨多晶娃层即飞线(runner poly),—些工艺中所述下地图形的台阶结构的高度即台阶差d > 2700埃的，同时根据器件性能要求所述跨多晶硅层的线宽很小如小于0. 13微米。如图I所示，为现有具有下地图形形貌的跨多晶硅层的结构俯视图；如图2所示，为沿图I中的A轴的剖面图。由图I和图2可知，在硅片I上形成有下地图形，所述下地图形由刻蚀后的栅极多晶硅2组成，在形成有所述栅极多晶硅2的位置处形成所述下地图形的台阶结构，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，其特征在于：跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在所述跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，所述无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、所述第二光刻胶层位于所述下地图形的台阶结构外的其它区域；所述第一光刻胶层在涂布于所述平坦结构上；所述第一光刻胶层为正性光刻胶、所述第二光刻胶层为负性光刻胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿林，郭晓波，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：