温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、第二光刻胶层位于下地图形的台阶结构外的其...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。