用于TFT干刻工艺中的界面层处理方法技术

一种用于TFT干刻工艺中的界面层处理方法，其将RF功率由3200w提高为4000w～5000w，腔体压力由12Pa调整为6～9Pa，所述混合气体包括100标准毫升每分钟的SF6、500标准毫升每分钟的He、800标准毫升每分钟的O2。通过调整RF的参数及混合气体的压力参数，可以更均匀地去除掉界面层，从而改善了对随后a-Si层刻蚀的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体エ艺，具体地涉及薄膜晶体管(以下简称TFT)的制造方法中的干刻エ艺。
技术介绍
TFT-IXD Array (薄膜晶体管液晶显示屏阵列)エ艺为液晶显示模块的前道エ序，用来在玻璃基板上形成电学开关，以控制背光源发出的光线是否可以通过，其基板エ艺结构近似于半导体エ艺，其中干刻(Dry Etching)技术是制造(Thin film transistor,薄膜晶体管)TFT-LCD (Liquid crystal display,液晶显示器)制造中普遍采用的刻蚀非金属膜的技术，如SiNx、a-Si等。通常在4Mask阵列薄膜晶体管制备エ艺中，在非晶硅(a_Si)成膜后，随后会溅射ー层金属层如Cr、Mo/Al等作为源电极、漏电极及数据线，接着进行光刻胶涂布、曝光エ序，然后对金属膜层进行第一次湿刻形成数据线，随后对a-Si半导体层进 行干法刻蚀以形成硅岛图案。但由于在金属膜成膜过程中，存在金属膜和a-Si膜层间原子相互扩散等现象，因此a-Si层和金属层之间会产生ー个很薄的界面层，在刻蚀a-Si半导体膜前需对界面层进行等离子体刻蚀预处理，清除掉该界面层，这样才能改善后续对a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对半导体a？Si膜层和金属膜层之间的界面层预处理工艺的改善方法，其特征在于，将RF功率由3200w提高为4000w～5000w，腔体压力由12Pa调整为6～9Pa。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张其国，于涛，郭晓东，申剑锋，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，
类型：发明
国别省市：