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一种用于TFT干刻工艺中的界面层处理方法，其将RF功率由3200w提高为4000w～5000w，腔体压力由12Pa调整为6～9Pa，所述混合气体包括100标准毫升每分钟的SF6、500标准毫升每分钟的He、800标准毫升每分钟的O2。通过调...
该专利属于上海中科高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海中科高等研究院授权不得商用。

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