【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种含有石墨烯微片的半导电聚烯烃组合物。还涉及一种含有石墨烯微片与炭黑的组合的半导电聚烯烃组合物。此外,本专利技术涉及一种用于生产所述半导电聚烯烃组合物的方法以及所述半导电聚烯烃组合物用于电力电缆的用途。此外,本专利技术还涉及制品,优选为包括至少一个含有所述聚烯烃组合物的半导电层的电力电缆。
技术介绍
半导电材料解释为导电性介于绝缘体和导体之间的材料。半导体的电导率范围通常为10_9到103S/cm,相应的电阻率为IO9到10_3ohm *cm (参见例如麦格劳-希尔科学技术术语词典,1989年第4版,第1698页)。得到半导电聚合物复合物的常规方法是将炭黑以通常为30_50wt%的量加入聚合物中,例如美国专利5,556,697所公开的那样。然而,高炭黑负载量使复合物具有高粘度。为改善复合物在电缆挤出时的可加工性,而同时保持高的电导率,则需要较低的炭黑负载量。一种方案是加入高结构炭黑,比如科琴黑(ketjen black)。这样可以减少导电填料的需求量,但是,由于所述高结构,即使在低负载量时,所述粘度也会急剧增加。炭黑填料的另一个缺点是,当聚合物组 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.06 EP 10003716.71.一种半导电聚烯烃组合物,包括 Ca)烯烃聚合物基础树脂,和 (b)石墨烯微片。2.根据权利要求1所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,还包括 (C)不同于(b)的固体导电填料。3.根据权利要求1或2所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述石墨烯微片(b)的平均厚度为l-50nm,优选为l_40nm,更优选为l_20nm。4.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,通过原子力显微镜测量的所述石墨烯微片(b)的直径与厚度之间的长宽比为50或更高。5.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,基于所述聚烯烃组合物的全部重量,所述石墨烯微片(b)的含量范围为2-20wt%,优选为4-15wt%,更优选为4-14wt%,并且甚至更优选为6-12wt%。6.根据权利要求2-5中的任一项所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述固体导电填料(c)为炭黑。7.根据权利要求6所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述炭黑满足如下要求中的至少一个,优选为如下要求的组合,更优选为如下要求的全部: (a)根据ASTMD 1510测定的碘值为至少30mg/g, (b)根据ASTMD 2414测定的DBP油吸收值为至少30ml/100g, (c)根据ASTMD 3037测定的BET氮表面积为至少30m2/g, (d)根据ASTMD5816测定的统计学表面积(STSA)为至少30m2/g。8.根据权利要求2-7中的任一项所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,相对于所述石墨烯微片(b)的重量,...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·斯万贝里,松·范,M·A·马利克,F·科斯塔,刘毅,上松高石,T·库尔木派斯,
申请(专利权)人:博里利斯股份公司,
类型:
国别省市:
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