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半导体构造和在开口内提供导电材料的方法技术
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文档序号:8659835
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一些实施例包括当保持所沉积含铜材料的温度大于100℃时利用所述含铜材料的物理气相沉积来沉积所述含铜材料的方法。一些实施例包括如下方法:用含金属组合物给开口加衬,当含铜材料的温度不大于约0℃时在所述含金属组合物上方物理气相沉积所述含铜材料,且...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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