硅通孔的形成方法技术

一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔填充保护层，所述保护层填满通孔；平坦化所述覆盖层间介质层的停止层，直至剩余部分停止层；去除所述通孔中的保护层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除所述剩余部分停止层及剩余部分停止层中的导电材料，直至露出层间介质层。本发明专利技术硅通孔的形成方法可改善所形成的硅通孔的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,本专利技术涉及一种娃通孔(Through SiliconVia ；TSV)的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(⑶，Critical Dimension)越小。三维集成电路是利用先进的晶片堆叠技术制备而成，其是将具不同功能的芯片堆叠成具有三维结构的集成电路(IC)。相较于二维结构的集成电路三维集成电路的堆叠技术不仅可使三维集成电路信息号传递路径缩短，更让三维集成电路的运作速度加快，且具低耗电的表现。TSV技术是新一代使堆叠的芯片能够互连的堆叠技术，TSV技术让集成电路中芯片间的信号传递路径更短，因此三维集成电路的运作性能会更加快速，且由于没有堆叠芯片数目的限制，使TSV技术成为目前热门的关键技术之一。参考图1至图4，示出了现有TSV技术中。如图1所示，首先在硅衬底101上形成多个MOS管102，形成覆盖所述MOS管102的层间介质层103，形成贯穿所述层间介质层103、底部位于硅衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔填充保护层，所述保护层填满通孔；平坦化所述覆盖层间介质层的停止层，直至剩余部分停止层；去除所述通孔中的保护层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除所述剩余部分停止层及剩余部分停止层中的导电材料，直至露出层间介质层。

【技术特征摘要】
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括: 提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔； 形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层； 向所述通孔填充保护层，所述保护层填满通孔； 平坦化所述覆盖层间介质层的停止层，直至剩余部分停止层； 去除所述通孔中的保护层； 向所述通孔中填充导电材料； 通过CMP去除所述剩余部分停止层及剩余部分停止层中的导电材料，直至露出层间介质层。2.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层的材质为氧化硅。3.按权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层通过次常压化学气相沉积的方法形成。4.按权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，覆盖所述通孔侧壁的停止层的厚度在1000 2000 A的范围内。5.按权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆盖层间介质层的停止层采用含有氧化硅的研磨剂平坦化。6.按权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述剩余部分停止层的厚度在300 600 A范围内。7.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：