带各向异性导电薄膜的半导体芯片、带各向异性导电薄膜的半导体晶片、以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够在连接前检查连接部的、能够预测对于连接有贡献的导电性颗粒数、且连接时对准标记的识别性优异的带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片。一种带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片，其特征在于，前述带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片具有一面有多个电路电极的半导体芯片或晶片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒，并且该各向异性导电薄膜所含的导电性颗粒总数的60％以上存在于与该电路电极的平均高度相比为该各向异性导电薄膜的表面侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带各向异性导电薄膜的半导体芯片、带各向异性导电薄膜的半导体晶片、以及半导体装置
本专利技术涉及:半导体芯片上已具备各向异性导电薄膜的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，所述各向异性导电薄膜用于将半导体芯片的电极与对应的电路基板上的电极彼此电连接；用于将对应的电路基板的电极电连接的半导体芯片制造用的、带各向异性导电薄膜的半导体晶片；以及半导体芯片的电极与对应的电路基板上的电极介由粘接剂彼此电连接的半导体装置。
技术介绍
各向异性导电薄膜是绝缘性粘接剂中分散有导电性颗粒的薄膜，用于半导体芯片电极与对应的电路基板电极之间的连接。各向异性导电薄膜例如用于连接有机基板与半导体芯片、玻璃基板与半导体芯片，主要在平板显示器领域被广泛使用。然而，随着半导体芯片的闻集成化、闻频化，除了以往的在有机基板上安装的方法以外，对于使用了能够缩短接线长度的各向异性导电薄膜的半导体芯片的层压化连接、与中介层(interposer)的连接的要求逐渐提高。目前为止，有关用于连接半导体芯片电极这种微细电路的各向异性导电薄膜，公知有下述方法:为了防止短路，用电绝缘树脂覆盖导电性颗粒表面的方法(参照以下的专利文献I);本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其特征在于，所述带各向异性导电薄膜的半导体芯片具有一面有多个电路电极的半导体芯片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒，并且该各向异性导电薄膜所含的导电性颗粒总数的60％以上存在于与该电路电极的平均高度相比为该各向异性导电薄膜的表面侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.16 JP 2011-275930;2011.12.16 JP 2011-275961.一种带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其特征在于，所述带各向异性导电薄膜的半导体芯片具有一面有多个电路电极的半导体芯片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒，并且该各向异性导电薄膜所含的导电性颗粒总数的60%以上存在于与该电路电极的平均高度相比为该各向异性导电薄膜的表面侧。2.根据权利要求1所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述各向异性导电薄膜的、位于与所述电路电极的平均高度相比为表面侧的绝缘性树脂成分的高度是所述导电性颗粒的平均直径的1.0倍~2.0倍。3.根据权利要求1或2所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述各向异性导电薄膜具有覆盖所述电路电极的绝缘性粘接剂层和导电性颗粒层，该导电性颗粒层是所述导电性颗粒在绝缘性树脂中大致平面状地分散排列I层而成的。4.根据权利要求3所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，20°C~100°C的温度范围内，所述绝缘性粘接剂层的树脂成分的粘度低于所述导电性颗粒层的绝缘性树脂的粘度。5.根据权利要求3或4所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述导电性颗粒层的绝缘性树脂的厚度是所述导电性颗粒的平均直径的0.4~2.0倍。6.根据权利要求3~5中任一项所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述导电性颗粒层中的导电性颗粒总数的90%以上独立存在，相邻的导电性颗粒间的平均颗粒间距是该导电性颗粒的平均直径的1.0~20倍。7.根据权利要求1~6中任一项所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述导电性颗粒总数的70%以上从所述各向异性导电薄膜的表面露出其一部分。8.根据权利要求1~7中任一项所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，所述导电性颗粒是平均直径2~50 μ m的大致球状的颗粒，并且选自由塑料制颗粒被金属包覆而成的颗粒、金属颗粒、合金颗粒、以及金属制颗粒或合金制颗粒被金属或合金包覆而成的颗粒组成的组中。9.根据权利要求1~8中任一项所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片，其中，从所述半导体芯片的外形溢出的所述各向异性导电薄膜的最大溢出长度为50μπ?以下。10.一种权利要求1所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片的制造方法，其包括以下的工序: 将一面有多个电路电极的半导体芯片的该电路电极面层压在如下的层压体上的工序，所述层压体是支撑体、和导电性颗粒在断面厚度方向偏在于支撑体侧的各向异性导电薄膜层按该顺序层压而成的；以及 将该经过层压的该半导体芯片连同该各向异性导电薄膜层从该支撑体剥离的工序。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述各向异性导电薄膜层具有绝缘性粘接剂层和导电性颗粒层，该导电性颗粒层是所述导电性颗粒在绝缘性树脂中大致平面状地分散排列I层而成的。12.—种权利要求3所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片的制造方法，其包括以下的工序: 向一面有多个电路电极的半导体芯片的电路电极面填充绝缘性粘接剂的工序；在所得到的带绝缘性粘接剂层的半导体芯片上层压导电性颗粒层的工序，所述导电性颗粒层形成在支撑体上且是导电性颗粒在绝缘性树脂中大致平面状地分散排列I层而成的； 将所述带绝缘性粘接剂层的半导体芯片连同所述导电性颗粒层从所述支撑体剥离的工序。13.—种权利要求3所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片的制造方法，其包括以下的工序: 向一面有多个电路电极的半导体芯片的电路电极面填充绝缘性粘接剂的工序； 在所得到的带绝缘性粘接剂层的半导体芯片上层压导电性颗粒的工序，所述导电性颗粒是在层压于支撑体上的粘接剂层上分散排列而形成的； 将所述带绝缘性粘接剂 层的半导体芯片连同所述导电性颗粒从层压于所述支撑体上的粘接剂层剥离的工序。14.根据权利要求10~13中任一项所述的方法，其中，所述层压的工序中，20°C~100°C下进行真空层压。15.一种半导体装置的制造方法，包括将权利要求1~9中任一项所述的带各向异性导电薄膜的半导体芯片的电路电极与具有对应的连接电极的电路基板对准位置来热压接的工序。16.根据权利要求15所述的方法，包括在所述热压接的工序之前目视检查所述电路电极上的导电性颗粒数的工序。17.一种由权利要求15或16所述的方法制造的半导体装置，其中，所述热压接后的所述连接电极上的每单位面积的导电性颗粒数为所述电路电极以外的部分的每单位面积的导电性颗粒数的65%以上。18.一种带各向异性导电薄膜的半导体晶片，其特征在于，所述带各向异性导电薄膜的半导体晶片具有一面有多个电路电极的半导体晶片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉屋英明，大谷章，子松时博，
申请(专利权)人：旭化成电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP