【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种半导体封装制造过程,其包含下列步骤:提供第一基板,该第一基板具有第一金属凸块,该第一金属凸块具有对接部,该对接部具有第一软化点;提供第二基板,该第二基板具有第二金属凸块,该第二金属凸块具有第二软化点,且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点,该第二金属凸块具有顶面及侧壁;进行加热步骤,以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态;以及压合该第一基板与该第二基板,以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的对接部,以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁。【专利说明】半导体封装制造过程及其结构
本专利技术涉及一种半导体封装制造过程,特别是涉及一种具有高品质及低成本的半导体封装制造过程。
技术介绍
目前半导体前段封装技术的微机电系统(Micro Electro Mechanical Systerns, MEMS)封装技术已由结合打线技术与玻璃胶逐渐演变为金属与金属对封,然受限于经微机电系统封装技术的封装结构于后段制造过程中不能有助焊剂或高温制造过程,因此无法采用成本较低的表面粘着技术(Surfa ...
【技术保护点】
一种半导体封装制造过程,其特征在于其至少包含:提供第一基板,该第一基板具有第一表面及第一金属凸块,该第一金属凸块形成于该第一表面上,该第一金属凸块具有底部及对接部,该底部位于该对接部与该第一基板之间,该对接部具有第一软化点;提供第二基板,该第二基板具有第二表面及第二金属凸块,该第二金属凸块形成于该第二表面上,该第二金属凸块具有第二软化点,且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点,该第二金属凸块具有顶面及侧壁;进行加热步骤,以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态;以及压合该第一基板与该第二基板,该第一表面朝向该第二表面,以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的 ...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:何荣华,吴非艰,郭志明,张世杰,涂家荣,
申请(专利权)人:颀邦科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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