一种等离子刻蚀残留物清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种含氟的半导体工业中等离子刻蚀残留物清洗液，该清洗液组合物含有：a)有机溶剂?5％～75％；b)水?10％～50％；c)氟化物?0.1％～20％；d)有机胺?0.1％～20％；e)氨基酸?0.1％～10％；f)胍类?0.01％～5％，优选0.05％～2％；g)苯并三氮唑及其衍生物?0.01％～5％。本发明专利技术的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti，Al，Cu)等具有较低的蚀刻速率，同时具有抑制铝铜合金流电腐蚀的能力，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子刻蚀残留物清洗液。
技术介绍
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分；第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻层，其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/去离子水漂洗。在这个过程中只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。现有技术中典型的清洗液有以下几种胺类清洗液，半水性胺基(非羟胺类)清洗 液以及氟化物类清洗液。其中前两类清洗液需要在高温下清洗，一般在60°C到80°C之间，存在对金属的腐蚀速率较大的问题；而现存的氟化物类清洗液虽然能在较低的温度(室温到50°C )下进行清洗，但仍然存在着各种各样的缺点，例如不能同时控制金属和非金属基材的腐蚀，清洗后容易造成通道特征尺寸的改变，从而改变半导体结构；另一方面由于其较大蚀刻速率，清洗操作窗口比较小等。U本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子刻蚀残留物的清洗液，其包括：有机溶剂、水、氟化物、有机胺、氨基酸、胍类和苯并三氮唑及其衍生物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙广胜，刘兵，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：