【技术实现步骤摘要】
半导体制造过程中使用的清洗液
本专利技术涉及半导体工艺制造
，尤其涉及一种感光膜清洗液。
技术介绍
感光材料是是一种新兴的材料，广泛应用于半导体制造产业中。在通常的半导体 制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成感光膜的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需 要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的感光膜。在这个过程中要求完全除去 不需要的感光膜，同时不能腐蚀任何基材。目前，感光膜清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体 晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的感光膜。如 JP1998239865公开了一种清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、 1，3’ - 二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50?100°C下除去金 属和电介质基材上的20 μ m以上的感光膜；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全 去除半导体晶片上的感光膜，清洗能力不足；US5529887由氢氧化钾(KOH)、烷基二醇单烷 基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40?90°C下除去 金属和电介质基材上的厚膜感光膜。其对半导体晶片基材的腐蚀较高；US5091103公开了 N-甲基吡咯烷酮、1，2_丙二醇和四甲基氢氧化铵的清洗液，于105?125°C下去除经高温烘 焙过(hard bake)的感光膜,其特征是不含有水、操作温度高,一旦清洗液混入水,其对金属 铝和铜的腐蚀速率均上升。由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀抑制方法和高效的感光膜去除能力是该...
【技术保护点】
一种新型的感光膜清洗液，其特征在于：包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。
【技术特征摘要】
1.一种新型的感光膜清洗液，其特征在于:包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。2.如权利要求1所述的感光膜清洗液，其特征在于:季戊四醇的质量百分比为0.1-15%，氢氧化钾的质量百分比为0.1_10%，有机胺的质量百分比为0.5-30%，防腐蚀剂0.5-5%，溶剂为佘量，各组分质量百分比之和为100%。3.如权利要求1或2所述的感光膜清洗液，其特征在于:季戊四醇的质量百分比为 10%,氢氧化钾的质量百分比为8%,有机胺的质量百分比为25%,防腐蚀剂3%,溶剂为 54%。4.如权利要求1至3所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述机胺为选自包括单乙醇胺、异丙醇胺、氨基乙氧基乙醇、η-甲基乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、2-氨乙基氨基乙醇、氨乙基哌嗪、氨丙基哌嗪、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-氨基-4-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、 1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、2-苯基哌嗪、1-氨乙基哌啶、1-氨基哌啶和1-氨甲基哌啶的组的至少一种化合物。5.如权利要求1至4所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。6.如权利要求1至5所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述的亚砜为二甲基亚砜；所述的砜为环丁砜；所述的咪唑烷酮为I，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮为1，3_ 二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇为丙二醇、二乙二醇；醚为乙二醇醚或丙二醇醚。7.如权利要求1至6所述的抗蚀膜剥离剂，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙霞，
申请(专利权)人：青岛华仁技术孵化器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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