远程射频等离子体源的隔离结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电路制造设备领域，尤其涉及一种远程射频等离子体源的隔离结构，包括进气腔、分流腔和合流腔组成的腔体，所述腔体的内壁上设有氧化铝镀层，其中，还包括隔离管道，所述隔离管道设于所述进气腔内，使得所述进气腔内的工艺气体和等离子体与所述氧化铝镀层隔离开。本发明专利技术具有如下优点或者有益效果：1、采用本发明专利技术的隔离结构，可以有效地防止等离子体对氧化铝镀层的腐蚀，避免粉尘对腔体和硅片的污染。2、隔离管道采用耐温性能良好、强耐腐蚀、弹性好的材料，既符合产生等离子体附近区域的环境要求，又可以抵御等离子的腐蚀，同时良好的弹性使得其和分流管道配合的紧密性更好。

【技术实现步骤摘要】
远程射频等离子体源的隔离结构
本专利技术涉及集成电路制造设备领域，属于光刻胶剥离设备的性能改善装置，尤其涉及一种远程射频等离子体源的隔离结构。
技术介绍
AxiomTM腔体是应用材料公司生产的用于集成电路刻蚀工艺后光刻胶去除作用的设备。在工艺过程中，如图1所示，工艺气体6（如O2，H2O）经过一个远程射频等离子体源内部分流腔2和合流腔3的石英管道5时形成等离子体7，箭头为工艺气体6流向。导入工艺腔体后与硅片表面的光刻胶反应生成气态副产物以达到去除光刻胶的效果。由于采用了远程射频等离子体源，该腔体的去光刻胶效率较该公司的前一代产品有很大幅度提高。但由于现有的石英管道5只有考虑到等离子体的产生和导流作用，导致远程射频等离子源上部进气腔的氧化铝镀层曝露在工艺气体和等离子体气氛中，而H2O解离后的氢原子对远程射频等离子体源内没有被石英管道5保护表面的氧化铝镀层4（如进气腔1内腔上的氧化铝镀层以及分流腔2顶端部分内腔上的氧化铝镀层等）具有较强的腐蚀作用，会发生严重的腐蚀情况，很容易产生粉尘而对腔体和硅片造成污染。反应方程式如下：Al2O3+H→Al2O+AlO+Al2O2+H2O，氧化铝表面被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种远程射频等离子体源的隔离结构，包括进气腔、分流腔和合流腔组成的腔体，所述腔体的内壁上设有氧化铝镀层，其特征在于，还包括隔离管道，所述隔离管道设于所述进气腔内，使得所述进气腔内的工艺气体和等离子体与所述氧化铝镀层隔离开。

【技术特征摘要】
1.一种远程射频等离子体源的隔离结构，包括进气腔、分流腔和合流腔组成的腔体，所述腔体的内壁上设有氧化铝镀层，其特征在于，还包括隔离管道、分流管道和合流管道，所述分流管道设于所述分流腔内；于所述隔离管道的侧壁上开设有至少两个分流通孔，使所述隔离管道中的工艺气体通过所述分流通孔分流到所述分流管道中；所述合流管道设于所述合流腔内；于所述合流管道的侧壁上开设有至少两个合流通孔，使所述分流管道中的等离子体通过所述合流通孔合流到所述合流管道中，所述隔离管道设于所述进气腔内，使得工艺气体和等离子体与所述氧化铝镀层隔离开。2.根据权利要求1所述的远程射频等离子体源的隔离结构，其特征在于，所述进气腔的进气口位于所述隔离结构的一侧，所述进气腔为水平结构，所述隔离管道从所述进气腔的进气口水平安装到所述进气腔中。3.根据权利要求2所述的远程射频等离子体源的...

【专利技术属性】
技术研发人员：季高明，张东海，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：