本实用新型专利技术公开了一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置，包括光纤准直镜、光纤过真空法兰、光纤适配器、第一石英光纤、光强比较器和联锁保护电路；所述光纤过真空法兰由穿过真空法兰的第二石英光纤构成，所述真空法兰用于使射频离子源放电腔实现真空密封；所述光纤准直镜固定在所述第二石英光纤的一端，用于收集射频离子源放电腔内的等离子体发光，所述第二石英光纤的另一端通过所述光纤适配器连接所述第一石英光纤的一端，所述第一石英光纤的另一端依次连接所述光强比较器和所述联锁保护电路。本实用新型专利技术根据光强检测结果决定是否采取相应的保护措施，增加了安全冗余，提高了系统的可靠性，为射频离子源提供了一种新的保护手段。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置，包括光纤准直镜、光纤过真空法兰、光纤适配器、第一石英光纤、光强比较器和联锁保护电路；所述光纤过真空法兰由穿过真空法兰的第二石英光纤构成，所述真空法兰用于使射频离子源放电腔实现真空密封；所述光纤准直镜固定在所述第二石英光纤的一端，用于收集射频离子源放电腔内的等离子体发光，所述第二石英光纤的另一端通过所述光纤适配器连接所述第一石英光纤的一端，所述第一石英光纤的另一端依次连接所述光强比较器和所述联锁保护电路。本技术根据光强检测结果决定是否采取相应的保护措施，增加了安全冗余，提高了系统的可靠性，为射频离子源提供了一种新的保护手段。【专利说明】一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置
本技术属于等离子体
，更具体地，涉及一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置。
技术介绍
目前射频激发等离子体技术被广泛应用于离子源领域，射频功率通过电容耦合或者感应耦合方式馈入放电腔，在放电腔内部激发工作气体，产生等离子体，然后采用直流高压将带电粒子引出。由于一般情况下离子源的等效射频阻抗与射频功率源的输出阻抗不相等，因此需要在离子源负载上连接阻抗匹配器，进行阻抗变换，实现离子源负载与射频功率源的良好阻抗匹配。 一般而言，射频离子源在运行过程中先后经历两个阶段，第一个阶段是激发阶段，在这个阶段中放电腔内等离子体从无到有，然后达到稳定；第二个阶段是稳定运行阶段，在这个阶段放电腔内的等离子体浓度基本维持稳定。等离子体是导体，其浓度不同会影响射频离子源放电腔部位的电磁场位形，改变离子源的等效射频阻抗。在激发阶段，等离子体浓度变化较快，等效阻抗变化也较快，而射频功率源的输出阻抗是不变的，这就意味着只有阻抗匹配器的参数调节速度足够快，才可能在这个动态过程中始终维持良好的阻抗匹配。 通常采用的通过机械方式调节匹配器元件参数难以实现这种快速的跟踪调节，目前广泛采用的方案是:根据预估的稳定运行阶段负载阻抗，在离子源加载功率激发之前先设定匹配器元件参数，在运行过程中不再调节匹配器参数。该方案虽然在激发过程存在阻抗失配，但因激发过程通常在毫秒量级，时间较短，从而不致损害射频功率源。但是，当离子源系统出现异常导致等离子体激发不成功时，射频功率源将长时间处于严重的阻抗失配状态下，输出馈线上存在较高的反射功率，如果不能正确、及时地检测到该运行状态并采取保护措施，长时间运行就可能损坏射频功率源。另外，在不明原因的异常情况下长期运行也可能损害离子源的其它子系统，比如真空、直流引出高压电源。 为了避免以上情况的发生，通常采用定向耦合器实时检测反射功率大小，一旦反射功率超过保护阈值，立即关闭射频功率源。然而，该保护方案缺乏安全冗余，一旦定向耦合器的反射功率检测、保护出现故障，在高反射功率情况下不能及时关闭射频功率源，导致射频功率源损坏。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本技术提供了一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置，有效弥补了基于定向耦合器的检测与保护系统缺乏安全冗余的不足，实现了对强射频干扰、直流高压、低工作气压运行条件下射频离子源不透明放电腔内等离子体发光强度的远程监测，并根据检测结果决定是否采取相应的保护措施，增加了安全冗余，增强了系统的可靠性，为射频离子源提供了一种新的保护手段。 为实现上述目的，本技术提供了一种射频离子源保护装置，其特征在于，包括光纤准直镜、光纤过真空法兰、光纤适配器、第一石英光纤、光强比较器和联锁保护电路；所述光纤过真空法兰由穿过真空法兰的第二石英光纤构成；所述光纤准直镜固定在所述第二石英光纤的一端，所述第二石英光纤的另一端通过所述光纤适配器连接所述第一石英光纤的一端，所述第一石英光纤的另一端依次连接所述光强比较器和所述联锁保护电路。 优选地，所述光强比较器包括依次连接的光电转换元件、滤波放大电路和电压比较电路。 优选地，所述光强比较器为光谱仪。 优选地，所述联锁保护电路包括第一与门、三极管、续流二极管和继电器；所述光强比较器的输出端通过电阻R3连接所述第一与门的一个输入端，所述第一与门的输出端通过电阻R4连接所述三极管的基极，所述三极管的基极和发射极间通过电阻R5连接，所述三极管的集电极连接所述继电器的线圈，所述续流二极管与所述继电器的线圈并联。 总体而言，通过本技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果: 1、根据放电腔内检测到的等离子体发光强度，判断射频离子源是否出现异常，并决定是否采取相应的保护措施，增加了安全冗余，提高了系统的可靠性。 2、光纤准直镜置于射频离子源的不透明放电腔内，同时对放电腔内外环境进行良好地密封，大幅降低了环境光对测量结果的影响。 3、放电腔与电路元件之间全程采用光路传输信号，有效避免了离子源放电腔周围的强射频干扰。 4、利用光纤传输，由于光纤是绝缘体，通过选择合适的光纤长度，能有效解决离子源直流弓I出高压与电路元件之间的隔离问题。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术一个实施例的射频离子源保护装置的原理框图； 图2是本技术一个实施例的射频离子源保护装置的结构示意图； 图3是本技术一个实施例的光纤过真空法兰的结构示意图； 图4是本技术一个实施例的电压比较电路的电路图； 图5是本技术一个实施例的联锁保护电路的原理图； 图6是本技术另一个实施例的射频离子源保护装置的原理框图； 图7是本技术另一个实施例的射频离子源保护装置的结构示意图。 在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中:1_射频离子源放电腔，2-金属盖板，3-法兰接头，4-光纤准直镜，5-光纤过真空法兰，6-法兰卡箍，7-光纤适配器，8-第一石英光纤，9-光敏二极管，10-滤波放大电路，11-联锁保护电路，51-光纤入口，52-第一 SMA905光纤接头，53-第二石英光纤，54-KF16真空法兰，55-第二SMA905光纤接头，56-光纤出口，12-光谱仪，13-电压比较电路。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。 射频离子源在运行过程中，等离子体激发不成功或者浓度偏低时，除了离子源负载与射频功率源之间阻抗失配造成反射功率较大之外，表现出的另一现象是放电腔内部无等离子体发光或者光强度不足。本技术利用这一现象，设定等离子体激发过程的时长为t，通过检测等离子体发光强度，将射频离子源在运行t时间后检测到的等离子体发光强度与设定的光强阈值比较，当其小于光强阈值时，说明此时放电腔内仍无等离子体被激发或者等离子体浓度偏低，判定射频离子源出现异常，切断射频功率源的主供电，避免基于定向耦合器的检测与保护系统失灵时高反射功率损坏射频功率源，同时关闭供气、直流引出高压等系统，能有效增加离子源的安全冗余本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种射频离子源保护装置，其特征在于，包括光纤准直镜、光纤过真空法兰、光纤适配器、第一石英光纤、光强比较器和联锁保护电路；所述光纤过真空法兰由穿过真空法兰的第二石英光纤构成；所述光纤准直镜固定在所述第二石英光纤的一端，所述第二石英光纤的另一端通过所述光纤适配器连接所述第一石英光纤的一端，所述第一石英光纤的另一端依次连接所述光强比较器和所述联锁保护电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李冬，黄俊昌，刘开锋，陈德智，周驰，岳海昆，王晓敏，赵鹏，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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