【技术实现步骤摘要】
一种射频等罔子体反应室
本技术涉及一种射频等离子体反应室，广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。
技术介绍
等离子体放电可以产生具有化学活性的物质，所以被广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。对于全球制造工业来说，等离子体处理技术起着极为重要的作用，尤其是在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助等离子体加工技术完成的，如等离子体刻蚀、等离子体薄膜沉积以及等离子体去胶等。近年来，随着国际半导体技术发展，对等离子体刻蚀的要求越来越高，如线宽越来越细、层数越来越多和芯片面积越来越大。目前，国际工业上正在研制腔室直径为450 mm的芯片生产工艺。而应用在等离子体刻蚀和材料表面处理及薄膜材料生长的等离子体源主要有微波电子回旋共振(ECR)等离子体源、单频或双频容性耦合等离子体源(CCP)和感性耦合等离子体源(ICP)等。上述几种等离子体源中，微波ECR源具有工作气压低、各向异性好和介质损失低等优点，但是由于其需要借助磁场来约束等离子体，因此很难做到大面积均匀性刻蚀的效果。而单频或双频CCP及ICP做到大面积均匀性就相对容易很多。在刻蚀工艺中，其中C...
【技术保护点】
一种射频等离子体反应室，包括设置在真空腔室中的上基片台（3）和下基片台（5），其特征在于：所述真空腔室采用主腔体（1）、密封盖（2）和底板（2a）构成，并固定在实验台架（10）上，主腔体（1）的周边设有多个石英观察窗（8），底板（2a）上设有金属套筒（6），金属套筒（6）内侧的底板（2a）上设有出气口（7）；所述上基片台（3）通过上支撑筒（18）固定在密封盖（2）上的上基片台固定装置（4）上，上基片台（3）采用容性耦合基片台或感性耦合基片台；所述下基片台（5）通过下基片台轴向位置调节机构（9）固定在底板（2a）上，下基片台轴向位置调节机构（9）包括调节螺母（9a）、导向杆（...
【技术特征摘要】
1.一种射频等离子体反应室，包括设置在真空腔室中的上基片台(3 )和下基片台(5 )，其特征在于:所述真空腔室采用主腔体(1)、密封盖(2)和底板(2a)构成，并固定在实验台架(10)上，主腔体(1)的周边设有多个石英观察窗(8)，底板(2a)上设有金属套筒(6)，金属套筒(6)内侧的底板(2a)上设有出气口(7);所述上基片台(3)通过上支撑筒(18)固定在密封盖(2 )上的上基片台固定装置(4 )上，上基片台(3 )采用容性耦合基片台或感性耦合基片台；所述下基片台(5)通过下基片台轴向位置调节机构(9)固定在底板(2a)上，下基片台轴向位置调节机构(9)包括调节螺母(9a)、导向杆(％)、移动法兰(9d)和保持所述真空腔室密封的波纹管(9c);调 整调节螺母(9a)时，移动法兰(9d)在导向杆(9b)上滑动，使波纹管(9c)变形，位于波纹管(9c)内的下支撑筒(53)移动，改变与下支撑筒(53)连接在一起的下基片台(5)与上基片台(3)之间的距离。2.根据权利要求1中所述的一种射频等离子体反应室，其特征在于:所述容性耦合基片台采用上支撑筒(18)依次连接上座板(17)、上顶部法兰(15)和上金属外罩(11)，在上顶部法兰(15)的下部设有一个带凹坑的第一上绝缘法兰(16)，在第一上绝缘法兰(16)的凹坑内，第一上金属底部法兰(12)与带凹坑的第二上金属底部法兰(31)之间的空腔连接上冷水进管(19)和上冷水出管(29)，第二上金属底部法兰(31)依次连接带多个孔的第一上进气法兰(32)和第二上进气法兰(33)，在第二上金属底部法兰(31)与第一上进气法兰(32)之间的空腔连接进气管及射频功率传输线(25)，所述上冷水进管(19)、上冷水出管(29)和进气管及射频功率传输线(25)穿过第一上金属底部法兰(12)、第一上绝缘法兰(16)和上顶部法兰(15)后，在位于上支撑筒(18)的上端部位设有上固定环(20)和上金属盖板(23)。...
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