表膜用膜和表膜制造技术

提供对EUV光具有高透射性、具有实用上充分的物理强度和耐久性，并且能够容易地去除膜碎片、且生产率优异的表膜用膜和表膜。表膜用膜(1)由碳多孔体膜构成，膜厚D为100nm～63μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用极紫外光的光刻用的表膜用膜和具备该表膜用膜的表膜。
技术介绍
半导体集成电路的生产起始于1960年代，随后实现了集成度的提高，从1970代初至最近为止，3年中实现了约4倍的高集成化这样的显著的高集成化持续。对该半导体集成电路的高集成化作出贡献的技术为被称为光刻的曝光技术。该曝光技术中，半导体集成电路的布线的最小线宽由分辨率决定，所得分辨率根据瑞利公式，依赖于曝光光学体系的开口度、曝光装置的被称为Kl因子的装置常数和曝光波长λ (以下，也简单记作λ)。其结果，为了得到45nm以下的分辨率，可以认为使用将曝光波长称为EUV区域的λ = 6?14nm的极紫外光(以下，也称为EUV(Extreme Ultra V1let)光)的EUV光刻是最有力的。作为EUV光刻开发中的现阶段的课题，可以举出:EUV用光源的输出、EUV用抗蚀剂、EUV用掩模的缺陷、污染物颗粒等。其中，在全部课题中有较大影响的是EUV用光源的输出、具体为无法使EUV光源的输出充分地增大。例如，关于EUV用掩模的污染物颗粒的课题中，EUV光对几乎全部的物质有较大的吸收，因此与利用现有的曝光波长、43本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表膜用膜，其由碳多孔体膜构成，膜厚D为100nm～63μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫下宪和，
申请(专利权)人：旭化成电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP