【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供具有能够降低由曝光后的光掩膜剥离表膜时的残胶、释气的产生少的粘合剂的表膜。本专利技术的表膜，其具有表膜框、张架于表膜框的一端面的表膜用膜、和附着于另一端面的粘合剂，粘合剂含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物和硅烷化合物，(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物是具有碳原子数4～14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯与具有官能团的单体的共聚物，其中，该官能团与异氰酸酯基或环氧基中的至少任意一种具有反应性。【专利说明】
本专利技术涉及在制造LSI (大规模集成电路)、超LSI等半导体器件或液晶显示板等时，为了防止在掩模(光掩膜)附着异物而使用的光刻用表膜等。尤其是涉及需要高分辨率的曝光中使用的使用准分子激光的光刻用表膜等。
技术介绍
在半导体制造的光刻工序中，为了将对应于集成电路的光致抗蚀剂图案形成在晶圆上，使用步进式曝光机(缩小投影曝光装置)等半导体制造装置。表膜是在表膜框的一端面张架透明薄膜而成的，防止异物直接附着在用于形成电路图案的掩模上。因此，即使在光刻工序中异物附着在表膜上，这些异物也不会在涂布有光致抗蚀剂的晶圆上成像，因此可以防止由于异物的图像所导致的半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：矢野浩平，山下泰辉，
申请(专利权)人：旭化成电子材料株式会社，
类型：
国别省市：
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