包括结型场效应晶体管的半导体器件制造技术

公开了一种包括结型场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。由于采用屏蔽层，在结型场效应晶体管中产生新的夹断区，从而可以减小夹断电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，更具体地涉及包括结型场效应晶体管的半导体器件。技术背景 图1所示为现有的N沟道结型场效应晶体管(JFET) 100的剖视图。该JFET100包括N+型漏极区101 ( 一般为衬底)、位于N+型漏极区101上的N-型外延层102、位于N-型外延层102中的P型体区103、位于N-型外延层102中以及P型体区103之间的N+型源极区104、以及位于P型体区103中的P+型栅极区105。该JFET100还包括层间介电层(ILDL) 106，以及穿过ILDL106与N+型源极区104电连接的源极接触107和穿过ILDL106与P+型栅极区105电连接的栅极接触108。，P型体区103围绕N-型外延层102的一部分。N+型源极区104位于N-型外延层102的该部分中。并且，N-型外延层102的该部分从N+型源极区104延伸至N+型漏极区101，从而形成导电路径。在图1中示出的JFET100为垂直器件。在栅极接触108上施加偏置电压时，体区103产生夹断效应，从而控制导电路径中的电流。在图1中附图标记“A”表示体区103在N-型外延层102中产生的夹断区。为了获得增强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于外延层的位于体区和屏蔽层之间的一部分为夹断区。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于体区是围绕外延层的一部分的环形，并且源极区位于该部分的外延层中。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于屏蔽层的横向截面的形状与有源区的形状一致。5.根据权利要求1所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：马荣耀，李铁生，张磊，傅达平，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：