The invention discloses a compound semiconductor heterojunction bipolar transistors, including intermediate layer, layer and collector collector layer is arranged between the collector layer and the second layer of the collector, the collector layer and the second layer of the collector were composed of GaAs, the intermediate layer including the energy gap of the material of less than GaAs. The low band gap of intermediate layer set in thickness and doping concentration of a collector is an ordinary condition, can reduce the stray collector resistance, improve the DC power consumption power of compound semiconductor heterojunction bipolar transistor amplifier based on improved power added efficiency of devices.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术,特别是涉及一种化合物半导体异质接面双极晶体管。
技术介绍
一般异质接面双极晶体管外延结构在集电极层设计上,均是选择与基极层同质或异质材料形成所谓单异质接面或双异质接面晶体管,再以高掺杂浓度方式或较厚厚度方式设计次集电极层用以形成集电极欧姆金属接触。故其集电极之杂散电阻值决定于次集电极层高掺杂浓度值与厚度值,及后续工艺制程中的金属退火程序;另外集电极至基极间距离的器件布局的设计,亦对其杂散电阻有所影响。杂散电阻的存在影响了异质接面双极晶体管的性能。常见降低杂散集电极电阻方法包括:(1)集电极至基极间距离的器件布局的优化设计,但该方式有一定的距离限制,此距离最小为1~1.8微米,应用受限;(2)增加次集电极层之厚度与高掺杂浓度,但该方法在增加次集电极层厚度时,于芯片工艺阶段会增加困难,包括在湿式蚀刻过程中,对器件形貌易有明显侧壁刻蚀过头情形;或离子布植过程中需以更大能量或浓度做植入才可使器件作有效隔离等缺点;(3)工艺制程中的金属退火程序优化,如退火时间与温度,但该方法不易控制,容易出现金属表面过于粗糙化纹理,或像豹纹斑状块状、节结状或水泡状缺陷;或由传输线量测(transmissionlinemeasurement;TLM)方式会得到非线性的杂散电阻特性结果等。
技术实现思路
本专利技术提供了一种化合物半导体异质接面双极晶体管,其克服了现有技术所存在的不足之处。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种化合物半导体异质接面双极晶体管,包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层;所述集电极层和次集电极层分别 ...
【技术保护点】
一种化合物半导体异质接面双极晶体管,其特征在于:包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层;所述集电极层和次集电极层分别由GaAs构成,所述中间层包括能隙小于GaAs的材料。
【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体异质接面双极晶体管,其特征在于:包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层;所述集电极层和次集电极层分别由GaAs构成,所述中间层包括能隙小于GaAs的材料。2.根据权利要求1所述的化合物半导体异质接面双极晶体管,其特征在于:所述中间层由InxGaAs构成,其中0<x≤0.4。3.根据权利要求2所述的化合物半导体异质接面双极晶体管,其特征在于:所述中间层的厚度为所述集电极层厚度的0.5%~1%。4.根据权利要求1所述的化合物半导体异质接面双极晶体管,其特征在于:所述中间层由InxGaAs/GaAs超晶格结构构成,其中0<x≤0.4。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜志泓,魏鸿基,
申请(专利权)人:厦门市三安集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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