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本发明公开了一种化合物半导体异质接面双极晶体管，包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层，所述集电极层和次集电极层分别由GaAs构成，所述中间层包括能隙小于GaAs的材料。本发明通过低能隙中间层的设置，在次集电极的...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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