【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种RFLDMOS厚场氧隔离介质层所需单晶硅的排列结构，及基于该结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法。
技术介绍
在RFLDMOS (射频横向扩散型金属氧化场效应管)厚场氧隔离介质层工艺中，大面积的厚场氧隔离介质层的形成方法是首先，通过深沟槽刻蚀，形成单晶硅深沟槽的等间隔排列；然后，通过热氧化过程，把等间隔排列的单晶硅深沟槽全部氧化成二氧化硅，形成大面积的厚场氧隔离介质层。通常，单晶硅深沟槽都是纵向(或横向)长距离排布，也就是整个深沟槽和单晶硅侧墙的长度很长(有的甚至长达I毫米)，如附图说明图1所示，这导致二氧化硅生长后，应力在同一个方向长距离聚集，进而导致硅片翘曲(应力情况见表I)。表I图1结构在热氧化后的应力
【技术保护点】
RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其特征在于，场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。
【技术特征摘要】
1.RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其特征在于，场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，当场氧最短距离在200微米以内时，场氧所需单晶硅按场氧最短距离的方向等间距排列。3.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于，所述硅柱的长度为10 20微米，场氧二氧化硅的厚度为硅柱宽度的1. 5倍，在硅柱宽度方向的深沟槽宽度为硅柱宽度的1. 5 1.8倍，在硅柱长度方向的深沟槽宽度为场氧二氧化硅厚度的O. 3 O. 5倍。4.基于权利要求1至3任何一项所述结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 1)在硅衬底上淀积二氧化硅-氮化硅叠层； 2)光刻和干法刻蚀打开场氧区，并进行单晶硅回刻； 3)淀积二氧化硅硬掩膜，进行深沟槽硬掩膜刻蚀，形成深沟槽的图形； 4)刻蚀单晶硅深沟槽，形成周期性等间距或错位排列的短棒状长方形单晶硅硅柱，硅柱间以深沟槽分隔； 5)湿法清洗并刻蚀，去除残留的二氧化硅硬掩膜； 6)进行场氧化； 7)淀积二氧化硅，封住深沟槽内的孔洞，然后去除顶部非场氧区的二氧化硅。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤I)和3)，二氧化硅的淀积采用化学气相沉积方法，淀积的压力为常压760托，温度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，肖胜安，孟鸿林，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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